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场效应MOS管FQPF16N15参数

PD最大耗散功率:53WID最大漏源电流:11.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.16ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF16N15是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,FQPF16N15被用作开关元件。由于其低导通电阻和高开关速度,它可以提高转换器的效率并减少功率损耗。

    2. 电机驱动器:在电机控制系统中,FQPF16N15常被用于驱动电机。它可以承受较高的电流和电压,确保电机能够稳定运行。

    3. 逆变器:在太阳能光伏逆变器和风能发电系统中,FQPF16N15被用来将直流电转换为交流电。其高效的开关性能能够优化逆变器的整体性能。

    4. 照明系统:在LED照明和节能灯中,FQPF16N15用于调节电流和电压,确保光源的稳定和高效工作。

    5. 消费电子:FQPF16N15还广泛应用于电视、电脑、音响系统等消费电子产品中,用于电源管理和信号处理,提供可靠的性能支持。

    二、参数特点:

    - 击穿电压(Vds):FQPF16N15的最大漏源击穿电压为150V。这使其能够在较高电压环境下安全运行,不易发生击穿故障。

    - 导通电阻(Rds(on)):FQPF16N15的最大导通电阻仅为0.45Ω(在10V Vgs下)。低导通电阻意味着在开关状态下的功耗更低,效率更高。

    - 漏极电流(Id):FQPF16N15能够承受的最大连续漏极电流为16A。这使其在需要大电流传输的场合(如电机驱动)中表现出色。

    - 栅极电荷(Qg):FQPF16N15的总栅极电荷为53nC。这一参数影响开关速度,较低的栅极电荷使其能够实现更快的开关动作,从而提高整体电路的响应速度。

    - 封装形式:FQPF16N15采用TO-220F封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合在高功率、高温度的工作环境中使用。

    综上所述,FQPF16N15在电源管理、驱动控制、逆变器等多个领域具有广泛的应用前景。其优良的电气性能和可靠的结构设计,使其成为众多电子工程师的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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