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场效应MOS管FQPF13N10参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:8.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF13N10是一种常见的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQPF13N10常用于开关电源(SMPS)中作为开关元件。这类电源在计算机、通讯设备和消费电子中有广泛应用。由于其低导通电阻和高效能,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,FQPF13N10也扮演着重要角色。其高耐压和高电流能力使其适用于直流电机和步进电机的控制,从而实现精确的速度和位置控制。

    3. 逆变器和转换器:FQPF13N10被广泛应用于太阳能光伏系统和不间断电源(UPS)中的逆变器和DC-DC转换器。这些设备需要高效的电能转换,而FQPF13N10的低导通电阻和快速开关特性正好满足了这一需求。

    4. 音频放大器:在音频放大器电路中,FQPF13N10的线性性能和低失真特性使其成为优秀的功率放大元件,能够提供清晰、强劲的音频输出。

    5. 汽车电子:汽车电子系统中也大量使用FQPF13N10,例如在电动汽车的电池管理系统(BMS)、车载充电器和电源分配单元(PDU)中。其高效和可靠的特性在这些高要求的应用中表现突出。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):FQPF13N10的典型导通电阻为0.23Ω,这一低导通电阻特性使其在工作时的损耗较低,从而提高了整体电路的效率。

    - 最大漏源电压(VDSS):该器件的最大漏源电压为100V,这意味着FQPF13N10能够在相对高压的环境下稳定工作,适用于需要高耐压能力的应用场景。

    - 最大漏极电流(ID):FQPF13N10的最大连续漏极电流为12A,峰值电流可达到48A。这种高电流能力使其非常适合大电流负载的应用,如电机驱动和大功率开关电源。

    - 栅极阈值电压(VGS(th)):其栅极阈值电压范围在2V到4V之间,典型值为3V。这一参数决定了MOSFET的开启电压,适中的阈值电压使FQPF13N10在驱动时不需要太高的栅极电压。

    - 功耗(PD):FQPF13N10的最大功耗为50W,这一高功耗特性允许其在高功率应用中使用,同时也要求在设计电路时注意散热管理,以避免器件过热。

    综上所述,FQPF13N10作为一种高效能的N沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高耐压和高电流能力,被广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器和转换器、音频放大器以及汽车电子等领域。在具体应用中,其优越的参数特点如低导通电阻、适中的栅极阈值电压和高功耗能力,使其在实际电路设计中表现出色,成为电子工程师们的可靠选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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