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场效应MOS管FQPF11P06参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:-8.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.175ΩVRDS(ON)ld通态电流:-4.3AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQPF11P06是一款P沟道MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQPF11P06常用于DC-DC转换器、AC-DC电源和电池管理系统中。这些应用需要高效的开关元件来调节电压和电流,FQPF11P06的低导通电阻和高开关速度使其成为理想选择。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FQPF11P06用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高效的开关性能能够减少能量损耗,提高系统的整体效率。

    3. 负载开关:FQPF11P06适用于各类负载开关应用,包括LED照明、继电器驱动和加热器控制。它能够快速响应开关信号,确保负载的稳定运行。

    4. 音频放大器:在音频放大器电路中,FQPF11P06用于放大信号和驱动扬声器。其线性工作特性和低失真使其在高保真音频应用中表现出色。

    5. 汽车电子:FQPF11P06在汽车电子中的应用包括电动窗、座椅调节和灯光控制等。其高可靠性和耐用性能够满足汽车环境中的严苛要求。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDS):FQPF11P06的最大漏源电压为-60V,适用于中等电压的应用场景。

    - 漏极电流(ID):其最大漏极电流为-11A,能够处理较高的电流需求,适用于大功率开关应用。

    - 导通电阻(RDS(on)):FQPF11P06的导通电阻非常低,仅为0.065Ω,低导通电阻可以减少导通损耗,提高系统效率。

    - 栅极电荷(Qg):其典型栅极电荷为45nC,低栅极电荷有助于提高开关速度,降低驱动损耗。

    - 封装类型:FQPF11P06采用TO-220封装,这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性,适合需要高功率处理的应用场合。

    综上所述,FQPF11P06凭借其优异的电气性能和可靠性,在多种应用场景中表现出色。无论是在电源管理、电机驱动,还是在音频放大和汽车电子中,FQPF11P06都能够提供高效、可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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