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场效应MOS管FQPF10N20C参数

PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:9.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF10N20C是一种功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,FQPF10N20C通常用作主要的开关器件,能够高效地转换电能,并提供稳定的输出电压。

    2. 电机驱动器:该器件常用于电机驱动电路,特别是在需要快速开关和高效能量传输的场合,如电动工具、电动车和工业自动化设备中。

    3. DC-DC转换器:FQPF10N20C在DC-DC转换器中起着至关重要的作用,能够高效地转换不同电压等级之间的电能,适用于便携式设备、通信设备和数据处理系统。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQPF10N20C用于逆变器电路,帮助将直流电转换为交流电,提高能量利用效率。

    5. 电池管理系统(BMS):该MOSFET在电池管理系统中用于电池充放电控制,确保电池的安全和高效运行。

    二、参数特点:

    1. 电压和电流能力:FQPF10N20C的漏源电压(Vds)为200V,能够承受较高的电压,同时其最大连续漏极电流(Id)为10A,适合中等功率应用。

    2. 低导通电阻:该器件的导通电阻(Rds(on))较低,仅为0.5Ω,能够减少开关损耗,提高效率,特别适合高频开关应用。

    3. 快速开关速度:FQPF10N20C具有快速的开关特性,开关时间(包括上升时间和下降时间)非常短,有助于提高电路的工作频率和效率。

    4. 热性能优良:该器件的热阻(Rth)较低,能够有效散热,确保在高功率和高温环境下稳定运行。

    5. 可靠性高:FQPF10N20C经过严格的质量控制和测试,具有高可靠性和长寿命,适用于各种严苛的工作环境。

    综上所述,FQPF10N20C是一款性能优异的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中,其优良的参数和特点使其在实际应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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