PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:9.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,FQPF10N20C通常用作主要的开关器件,能够高效地转换电能,并提供稳定的输出电压。
2. 电机驱动器:该器件常用于电机驱动电路,特别是在需要快速开关和高效能量传输的场合,如电动工具、电动车和工业自动化设备中。
3. DC-DC转换器:FQPF10N20C在DC-DC转换器中起着至关重要的作用,能够高效地转换不同电压等级之间的电能,适用于便携式设备、通信设备和数据处理系统。
4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQPF10N20C用于逆变器电路,帮助将直流电转换为交流电,提高能量利用效率。
5. 电池管理系统(BMS):该MOSFET在电池管理系统中用于电池充放电控制,确保电池的安全和高效运行。
二、参数特点:
1. 电压和电流能力:FQPF10N20C的漏源电压(Vds)为200V,能够承受较高的电压,同时其最大连续漏极电流(Id)为10A,适合中等功率应用。
2. 低导通电阻:该器件的导通电阻(Rds(on))较低,仅为0.5Ω,能够减少开关损耗,提高效率,特别适合高频开关应用。
3. 快速开关速度:FQPF10N20C具有快速的开关特性,开关时间(包括上升时间和下降时间)非常短,有助于提高电路的工作频率和效率。
4. 热性能优良:该器件的热阻(Rth)较低,能够有效散热,确保在高功率和高温环境下稳定运行。
5. 可靠性高:FQPF10N20C经过严格的质量控制和测试,具有高可靠性和长寿命,适用于各种严苛的工作环境。
综上所述,FQPF10N20C是一款性能优异的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中,其优良的参数和特点使其在实际应用中表现出色。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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