收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FQP9N25参数

场效应MOS管FQP9N25参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:9.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.42ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FQP9N25是一种N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP9N25常用于开关电源和DC-DC转换器中,提供高效的电源转换和管理。

    2. 电动机控制:在电动机驱动和控制电路中,FQP9N25可用于控制电动机的启动和停止,调节电动机的速度和方向。

    3. LED驱动器:FQP9N25在LED照明系统中用于驱动高功率LED灯,提高系统的可靠性和效率。

    4. 音频放大器:在音频放大电路中,FQP9N25可用于功率放大部分,提供清晰且强劲的音频输出。

    5. 保护电路:FQP9N25也被用于各种保护电路中,如过电流保护和过电压保护电路,保护敏感电子元件免受损害。

    二、参数特点:

    1. 漏源电压(Vds):FQP9N25的最大漏源电压为250V,适用于高压环境下的电路设计。

    2. 漏极电流(Id):该型号的最大连续漏极电流为9A,能够处理较大的电流负载。

    3. 导通电阻(Rds(on)):FQP9N25的最大导通电阻为0.27Ω(Vgs为10V时),提高了电路的效率。

    4. 栅极电荷(Qg):FQP9N25的典型栅极电荷为28nC,有助于实现快速开关,适用于高频开关电路。

    5. 热性能:FQP9N25具有良好的热性能,最大结温为150℃,适合于高功率应用中的散热需求。

    综上所述,FQP9N25以其广泛的应用场景和优秀的参数特点,是电子工程师在设计高效、可靠电路时的首选器件之一。通过合理地利用其特性,可以优化电路性能,提升整体系统的可靠性和效率。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号