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场效应MOS管FQP90N10V2参数

PD最大耗散功率:250WID最大漏源电流:90AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.01ΩVRDS(ON)ld通态电流:45AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP90N10V2是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQP90N10V2常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,起到调节和稳定电压的作用。由于其低导通电阻和高效率,这种MOSFET能显著提高电源系统的性能和可靠性。

    2. 电动汽车:在电动汽车中,FQP90N10V2可用于电机控制器和电池管理系统(BMS)。它能够有效地控制电流和电压,确保电动汽车的动力系统运行稳定。

    3. 太阳能逆变器:FQP90N10V2在太阳能逆变器中也有广泛应用。它能高效地将直流电转换为交流电,满足家庭或工业用电需求,具有高转换效率和低热损失的优势。

    4. 工业自动化:在工业自动化领域,FQP90N10V2用于驱动电机和其他负载,帮助实现精确的电流控制和高效的能量传输,适用于机器人、数控机床等设备。

    5. 消费电子产品:FQP90N10V2常用于电脑、电视和音响等消费电子产品中,用于开关电源、音频放大器等电路,提供高效、稳定的电源管理。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQP90N10V2的典型导通电阻仅为0.022Ω,这意味着在开通状态下的电流损耗非常低,有助于提高整体电路的效率并减少发热量。

    - 高耐压能力:这种MOSFET具有100V的耐压能力,适用于高压电源和电动汽车等需要处理高电压的场景。

    - 大电流处理能力:FQP90N10V2可以处理高达90A的电流,这使得它非常适合用于大功率电源和电动机控制等需要高电流的应用。

    - 快速开关速度:得益于其低栅极电荷(典型值为110nC),FQP90N10V2能够实现快速开关,适用于需要高频开关的应用,如开关电源和逆变器。

    - 良好的热性能:FQP90N10V2具有较低的热阻(结到外壳的热阻为1.1°C/W),能够在高功率应用中有效地散热,确保器件的稳定运行。

    综上所述,FQP90N10V2凭借其优越的电气性能和广泛的应用场景,成为电子工程师们在设计高效电源管理系统、工业控制设备以及消费电子产品时的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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