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场效应MOS管FQP8P10参数

PD最大耗散功率:65WID最大漏源电流:-8AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.53ΩVRDS(ON)ld通态电流:-4AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQP8P10是一种功率MOSFET场效应管,常见于各种电子设备中。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP8P10在电源管理电路中扮演着重要角色。它可以用于开关电源、DC-DC转换器和电池充放电管理等方面。由于其低导通电阻和高开关速度,能够有效提高电源转换效率。

    2. 车载电子:在汽车电子系统中,FQP8P10常被用于汽车电池管理、电动机驱动以及车载照明等方面。其高可靠性和耐高温性能使其成为汽车电子领域的理想选择。

    3. 工业自动化:在工业控制和自动化领域,FQP8P10可用于电机驱动、电磁阀控制以及温度控制等应用。其高功率处理能力和可靠性能够满足工业环境的苛刻要求。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQP8P10常被用于逆变器电路中,将太阳能板产生的直流电转换为交流电。其高效率和高频率特性能够有效提高太阳能系统的整体性能。

    5. LED驱动器:在LED照明领域,FQP8P10可用于LED驱动电路中,控制LED灯的亮度和稳定性。其低压降和高效率可以减少能源损耗,延长LED灯的使用寿命。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻、高开关速度、低门电荷、高耐压等。
    2. 导通电阻一般在几十毫欧姆至几百毫欧姆之间,开关速度可以达到几十纳秒级别,门电荷较小,适合高频率开关应用。
    3. 耐压通常在数十伏至数百伏之间,能够满足不同应用场景的需求。

    综上所述,FQP8P10作为一种功率MOSFET场效应管,在各种电子设备中有着广泛的应用,其参数特点使其成为许多应用场景的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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