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场效应MOS管FQP8N25参数

PD最大耗散功率:87WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP8N25是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电气设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源(如DC-DC转换器)中,FQP8N25用于高效能量转换和管理。由于其低导通电阻和高开关速度,这款MOSFET在电源管理中具有出色的性能。

    2. 电机驱动:FQP8N25在电机驱动电路中也得到广泛应用,特别是用于电动车、机器人和工业自动化设备的驱动控制。它能提供高效率和低功耗的电机控制。

    3. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,FQP8N25被用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电。其高耐压特性使其在处理光伏面板产生的高压电流时非常可靠。

    4. 音频放大器:FQP8N25在高保真音频放大器中应用,提供低失真和高效率的音频放大解决方案。其快速的开关速度和低导通电阻有助于提高音频信号的质量。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,FQP8N25用于各种控制模块,如引擎控制单元(ECU)、车灯控制、和电动窗控制等。其高温性能和可靠性使其成为汽车电子的理想选择。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):FQP8N25的最大漏源电压为250V。这使得它能够在高压环境下工作,如光伏逆变器和工业电源管理系统中。

    - 导通电阻(Rds(on):FQP8N25的导通电阻在10V栅极驱动电压下仅为0.6Ω。这种低导通电阻减少了能量损耗,提高了系统的整体效率。

    - 漏极电流(Id):FQP8N25的最大漏极电流为8A,这使得它能够处理大电流应用,如电机驱动和电源管理系统。

    - 栅极电荷(Qg):FQP8N25的总栅极电荷为25nC。这一低栅极电荷使得MOSFET能够快速开关,从而提高系统的开关速度和效率。

    - 结电容(Ciss):FQP8N25的输入电容为1050pF。较低的输入电容有助于降低开关损耗和提高开关速度。

    - 热阻(RθJC):FQP8N25的结到壳热阻为1.5°C/W,确保在高功率应用中能够有效散热,维持稳定的工作温度。

    综上所述,FQP8N25凭借其高耐压、低导通电阻、高开关速度和高可靠性,成为了电源管理、电机驱动、光伏逆变器、音频放大器和汽车电子等领域的理想选择。其独特的参数特点确保了在不同应用环境中的优异性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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