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场效应MOS管FQP7N20参数

PD最大耗散功率:63WID最大漏源电流:6.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.69ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP7N20是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源和DC-DC转换器中,FQP7N20常被用作开关元件。由于其低导通电阻和高开关速度,能够提高电源的效率并减少热损耗。

    2. 电机控制:在电动机驱动电路中,FQP7N20可以控制电动机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和耐压特性使其在高功率电动机控制中表现出色。

    3. 电池保护:在锂离子电池保护电路中,FQP7N20用于防止电池过充、过放和短路。其快速响应特性有助于提高电池的安全性和使用寿命。

    4. 音频放大器:FQP7N20在音频放大器电路中用于放大音频信号。其线性工作区域宽广,能提供高保真的音频输出。

    5. 照明控制:在LED照明驱动电路中,FQP7N20作为开关元件调节LED的亮度。其高效的开关特性可以显著提高照明系统的能效。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(V_DS):200V。FQP7N20能够承受高达200伏的漏源电压,使其适用于高压应用。

    - 最大连续漏极电流(I_D):7A。FQP7N20能够传输高达7安培的电流,适合高电流需求的电路。

    - 导通电阻(R_DS(on):0.8Ω。较低的导通电阻使得FQP7N20在导通状态下具有较低的功率损耗,提升了整体电路的效率。

    - 栅极电荷(Q_g):25nC。较低的栅极电荷使得FQP7N20具有快速的开关速度,有助于减少开关损耗并提高开关频率。

    - 热阻(RθJA):62.5°C/W。FQP7N20具有较好的热性能,在高功率应用中能够有效地散热,保证器件的可靠性和稳定性。

    通过以上详细介绍,可以看出,FQP7N20凭借其高电压、高电流、低导通电阻和快速开关速度等优异参数特性,广泛应用于电源管理、电机控制、电池保护、音频放大器和照明控制等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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