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场效应MOS管FQP70N06参数

PD最大耗散功率:158WID最大漏源电流:70AV(BR)DSS漏源击穿电压:80VRDS(ON)Ω内阻:0.014ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP70N06是一款N沟道MOSFET功率场效应管,广泛应用于各种功率电子应用中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQP70N06能够提供低导通电阻,有效降低开关损耗,提高能效。

    2. 电机驱动器:在电机控制系统中,FQP70N06作为电机的驱动开关管,能够有效控制电机的启停和转速调节,同时保证系统的稳定性和可靠性。

    3. 逆变器:逆变器需要频繁开关以实现DC到AC的转换,FQP70N06在逆变器中能够提供快速响应的开关特性,确保输出波形的稳定性和纯净度。

    4. 电动车充电系统:在电动车充电系统中,FQP70N06作为充电控制电路的关键组件之一,能够有效管理充电过程中的功率传输和电流控制,确保充电安全和效率。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:FQP70N06具有典型的导通电阻为20mΩ,能够在工作时减少功率损耗,提高效率。

    2. 低开关电荷:FQP70N06的低开关电荷Qg和Qgd有助于减少开关过程中的能量损耗,提高开关速度。

    3. 高耐压:FQP70N06的额定耐压达60V,适合在较高电压环境下稳定工作。

    4. 优良的热特性:能够有效地分散热量,保持器件在高负载和高工作频率下的稳定性。

    5. 可靠性:经过严格的质量控制和长期可靠性测试,确保在各种工作条件下的长期稳定性和可靠性。

    综上所述,FQP70N06作为一款性能优越的功率MOSFET,不仅在电源、电机控制和逆变器等领域具有广泛的应用,其优秀的参数特点也确保了在各种高性能电子电路中发挥稳定和可靠的作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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