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场效应MOS管FQP6N60C参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP6N60C是一款功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电源和电气控制领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:FQP6N60C常见于开关电源设计中,用于替代传统的功率开关管,以提高效率和稳定性。

    2. 汽车电子:在直流-直流变换器(DC-DC Converter)中,FQP6N60C被用作主开关管,控制能量的转换和传输过程。

    3. 工业自动化:FQP6N60C还广泛应用于电动汽车充电桩的充电控制电路中,确保电能转换过程中的高效率和安全性。

    4. 家电电路:在工业自动化领域,FQP6N60C被用来驱动电机和执行器,实现精确的电气控制和运动管理。

    5. 电源管理:在家电电路中,FQP6N60C作为开关和调节器件,帮助实现节能和电源管理的优化。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQP6N60C具备优秀的导通特性,有效降低导通时的能耗损失,提升整体效率。

    - 高耐压能力:FQP6N60C具有较高的耐受电压,适用于各种电源系统的需求。

    - 优化的开关特性:FQP6N60C具有快速的开关响应时间和精确的控制能力,适合高频开关电路设计。

    - 热稳定性:FQP6N60C设计考虑了热管理,能有效应对高负载和高温环境下的工作要求。

    - 可靠性:FQP6N60C经过严格的质量控制和可靠性测试,确保长期稳定的工作性能。

    综上所述,FQP6N60C作为一款先进的功率MOSFET,不仅在电子电路设计中发挥重要作用,还在能源效率和性能优化方面提供了可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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