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场效应MOS管FQP6N25参数

PD最大耗散功率:63WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP6N25是一款N沟道场效应管(MOSFET),具有广泛的应用场景,特别适合需要高性能功率开关和功率放大的电路设计。以下是一些常见的应用领域:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQP6N25在开关电源和DC-DC转换器中能够有效地控制和调节电流,提供稳定的电源输出。

    2. 电动工具:用于马达驱动和电动工具的电源控制单元,通过其低导通电阻和高开关速度,提高了设备的效率和性能。

    3. 电动车充电系统:在电动车的充电桩和充电控制器中,FQP6N25可以管理电流和电压,确保安全高效的充电过程。

    4. 照明应用:在LED驱动和照明控制电路中,FQP6N25的高频开关特性和低损耗特点,有助于提升照明系统的能效。

    5. 电源逆变器:在太阳能逆变器和其它逆变器设计中,FQP6N25能够处理高功率的电能转换,支持清洁能源应用。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:典型值为1.1Ω,能够降低功率开关时的能量损耗,提高效率。

    2. 高开关速度:快速开关特性(典型的开关时间为40ns),适合需要高频操作的电路设计。

    3. 耐压能力:工作电压最高可达250V,适用于需要处理较高电压的应用环境。

    4. 热稳定性:通过优化的热管理设计,确保在高功率工作时的稳定性和可靠性。

    5. 封装类型:常见的TO-220封装,便于安装和散热,适合各种工业和商业应用。

    综上所述,FQP6N25作为一款高性能的N沟道MOSFET,不仅在功率管理和电源控制领域表现优异,还在新能源和照明技术中展现出广阔的应用前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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