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场效应MOS管FQP5P10参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:-4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:1.05ΩVRDS(ON)ld通态电流:-2.25AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQP5P10是Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产的一种P沟道功率MOSFET,具有出色的性能和广泛的应用场景。本文将详细介绍FQP5P10的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP5P10常用于电源管理系统中,特别是开关电源和直流-直流转换器。其低导通电阻和高电流处理能力使其在这些应用中表现优异,能够有效降低能量损耗并提高效率。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,FQP5P10能够提供稳定且高效的电流供应。它的快速开关特性和耐高电压特性,使其在控制直流电机和步进电机时具有显著优势,确保电机运行平稳。

    3. 自动化设备:FQP5P10广泛应用于各种自动化设备中,包括机器人和工业自动化系统。其高可靠性和低导通电阻使其能够在复杂的自动化任务中提供精准和高效的电力控制。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,FQP5P10被用于电源分配和保护电路。其高温度耐受能力和低开关损耗特性,使其在严苛的汽车环境中仍能稳定运行,确保车辆电子系统的可靠性和安全性。

    5. 消费电子:由于FQP5P10具有低栅极电荷和快速开关速度,它在消费电子产品中也有广泛应用,如智能手机、笔记本电脑和家用电器等。它可以有效降低电子产品的功耗,提高电池寿命。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):FQP5P10的最大导通电阻为0.300欧姆(在VGS = -10V时)。较低的导通电阻意味着在工作状态下的功耗较低,有助于提高系统的整体效率。

    - 电流处理能力:FQP5P10能够处理最大为5.0A的连续漏极电流(ID),在脉冲模式下可处理高达20A的电流。这使其适用于需要高电流处理能力的应用场合。

    - 击穿电压(VDS):FQP5P10的漏源击穿电压为-100V,这一高电压特性使其能够在高电压应用中提供可靠的性能,避免因电压过高而导致的器件损坏。

    - 栅极电荷(Qg):FQP5P10的总栅极电荷为22nC(在VGS = -10V时),较低的栅极电荷使得它能够快速开关,适合高频应用,减小了开关损耗。

    - 热性能:FQP5P10具有良好的热性能,最高结温为175°C,这使其能够在高温环境下可靠工作。其封装类型为TO-220,提供良好的散热能力,进一步增强了其在高功率应用中的稳定性。

    综上所述,FQP5P10凭借其卓越的性能参数和广泛的应用场景,成为许多电力电子系统中的关键元件。其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、低栅极电荷和优异的热性能,使其在各种复杂和高要求的应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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