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场效应MOS管FQP5N30参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:5.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:0.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP5N30是一种高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。以下详细说明FQP5N30的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQP5N30常用于开关电源中,尤其是在DC-DC转换器和AC-DC适配器中。由于其低导通电阻和快速开关能力,使其能够有效减少能量损耗,提高电源转换效率。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、锯子和砂光机中,FQP5N30作为关键的开关元件,能够提供高效的电力传输和控制,使这些工具具有更强的动力和更长的使用寿命。

    3. 电池管理系统(BMS):FQP5N30在电池管理系统中用于电池的充放电控制。其高电压耐受能力和良好的热性能使其非常适合在高能量密度电池组中应用,确保电池的安全性和寿命。

    4. 电动汽车(EVs):在电动汽车的驱动系统中,FQP5N30用于逆变器和电机控制模块。其高效能和可靠性有助于提高电动汽车的性能和续航里程。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,FQP5N30用于控制电机、继电器和其他高功率负载。其快速响应和高电流处理能力,使其在复杂的自动化系统中表现出色。

    二、参数特点:

    - 电压和电流参数:FQP5N30的漏源电压(Vds)为300V,最大漏极电流(Id)为5A。这些参数使其能够在高电压和中等电流应用中运行,适合各种电力电子设备。

    - 导通电阻(Rds(on):FQP5N30的导通电阻典型值为1.6Ω(在Vgs为10V时)。较低的导通电阻有助于减少导通时的功率损耗,提高系统的整体效率。

    - 开关速度:FQP5N30具有快速的开关特性,典型的开关时间在数十纳秒级别。这种快速的开关能力非常适合高频应用,如开关电源和逆变器。

    - 热性能:FQP5N30的结温范围为-55°C到150°C,具有良好的热稳定性。其最大功耗(Pd)为60W,能够在高功率条件下有效散热,确保器件的可靠运行。

    - 封装形式:FQP5N30采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合在需要可靠性和耐久性的应用中使用。

    综上所述,FQP5N30作为一种高性能的N沟道MOSFET,因其在各种电力电子领域中的广泛应用和优异参数特点而备受青睐。无论是在开关电源、电动工具、电池管理系统、电动汽车,还是工业自动化设备中,FQP5N30都展现出其高效能和可靠性,是电力电子领域中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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