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场效应MOS管FQP5N20L参数

PD最大耗散功率:52WID最大漏源电流:4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP5N20L是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电子负载和功率放大器等场合。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQP5N20L常用于各种开关电源中,起到电压转换和稳压的作用。它在高频开关电路中表现优异,能有效提高电源效率。

    2. 电子负载:在电子负载测试设备中,FQP5N20L用于模拟各种负载情况,帮助测试电源和电池的性能和稳定性。

    3. 功率放大器:FQP5N20L也被广泛应用于音频和射频功率放大器中,提供高效的功率放大能力。

    4. 电动工具:在电动工具和家用电器中,FQP5N20L用于电机驱动电路,提供高效的电能转换和控制。

    5. 太阳能逆变器:FQP5N20L也被应用于太阳能光伏系统的逆变器中,帮助实现直流电到交流电的转换,提高系统效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQP5N20L具有较低的导通电阻,能够减少功率损耗,提高电路效率。

    - 高击穿电压:这款MOSFET的击穿电压高达200V,能够在高压环境下稳定工作。

    - 快速开关速度:FQP5N20L的开关速度快,适合高频应用,能够提高电源转换效率。

    - 高输入阻抗:其高输入阻抗特性使得驱动电路设计更加简单,有效减少驱动损耗。

    - 可靠性高:FQP5N20L经过严格测试和认证,具有高可靠性和长寿命,适合各种严苛应用环境。

    综上所述,FQP5N20L是一款性能优越的N沟道功率MOSFET,适用于多种高效能电源和电子负载应用。其低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点,使其在开关电源、电子负载、功率放大器和太阳能逆变器等领域中广泛应用,为设备提供高效稳定的电能转换和控制解决方案。FQP5N20L的高可靠性和多功能性,使其成为电子工程师的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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