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场效应MOS管FQP5N15参数

PD最大耗散功率:54WID最大漏源电流:5.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP5N15是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。以下将详细介绍FQP5N15的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP5N15常用于开关电源和DC-DC转换器中。由于其较低的导通电阻和高效的开关速度,它在这些应用中能够提供高效的功率转换,并且减少功耗。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,FQP5N15可作为控制元件使用。它的高电流处理能力使其能够驱动大功率电机,同时提供精确的控制和调节。

    3. 负载开关:FQP5N15可以用作电子设备中的负载开关。由于其低导通电阻,能够高效地控制大功率负载,如灯光、加热器等设备,保证了电路的可靠性和稳定性。

    4. 音频放大器:在音频放大器中,FQP5N15用作输出级的功率放大器。它的高输入阻抗和快速开关速度,使得音频信号的放大更加清晰和精准。

    5. 太阳能逆变器:FQP5N15还应用于太阳能逆变器中。由于其在高频开关应用中的优异性能,使得逆变器能够高效地将直流电转换为交流电,最大限度地提高太阳能系统的效率。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:FQP5N15具有极低的导通电阻(R_DS(on)),典型值为0.45欧姆。低导通电阻意味着在大电流通过时,产生的热量更少,从而提高了器件的效率和可靠性。

    - 击穿电压:FQP5N15的漏源击穿电压(V_DS)为150伏。这一高电压特性使其能够在高电压环境下工作,适用于需要高压处理的应用场景。

    - 电流处理能力:FQP5N15的连续漏极电流(I_D)为5安培。这表明它可以处理较大的电流,适用于需要大功率驱动的应用。

    - 栅极电荷:FQP5N15的总栅极电荷(Q_g)为16nC。较低的栅极电荷使其在开关时能够更快响应,减少了开关损耗,提高了整体效率。

    - 工作温度范围:FQP5N15的工作结温范围为-55°C至+150°C。这一宽广的温度范围确保了其在各种严苛环境下的稳定工作,适用于户外或工业环境中的应用。

    综上所述,FQP5N15凭借其优越的电气性能和广泛的应用场景,成为许多电子工程师在设计高效、可靠电路时的首选器件。无论是在电源管理、电机控制,还是在音频放大和太阳能逆变等应用中,FQP5N15都能发挥重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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