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场效应MOS管FQP55N06参数

PD最大耗散功率:133WID最大漏源电流:55AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.02ΩVRDS(ON)ld通态电流:27.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP55N06是一种常用的N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和高电流承载能力,因此广泛应用于各种电子电路中。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP55N06在开关电源和直流-直流转换器中非常常见。这种器件可以用作功率开关元件,由于其低导通电阻和快速开关特性,可以提高电源效率,减少热量产生,延长电源的使用寿命。

    2. 电动机控制:FQP55N06也广泛用于电动机驱动电路中,特别是在无刷直流电动机(BLDC)和步进电机控制中。它的高电流承载能力和耐用性使其能够处理大电流负载,从而提供稳定的电机驱动。

    3. 汽车电子:现代汽车中有大量电子系统需要高效可靠的功率元件,如车灯控制、电动窗、座椅调节等。FQP55N06由于其高可靠性和耐用性,成为这些应用的理想选择。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQP55N06被用来将直流电转换为交流电。其高效的开关性能可以最大限度地减少能量损耗,从而提高整个系统的效率。

    5. 音频放大器:FQP55N06也常见于高功率音频放大器电路中,特别是D类放大器。其低导通电阻和高开关速度使得音频信号的失真降低,从而提升音质。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(R_DS(on)):FQP55N06的导通电阻非常低,典型值为0.018欧姆。这意味着当MOSFET导通时,通过它的电流产生的电压降和功率损耗非常小,有助于提高电路效率。

    - 高电流承载能力:FQP55N06的最大连续漏极电流(I_D)为50安培,这使其能够处理大电流负载,非常适合需要高电流驱动的应用场景,如电动机控制和电源管理。

    - 高耐压能力:FQP55N06的最大漏源电压(V_DS)为60伏,这使其能够在较高电压环境下工作,适用于一些需要高电压操作的场合,如太阳能逆变器和汽车电子。

    - 快速开关特性:FQP55N06具有快速的开关速度,这归功于其低栅极电荷(Q_g),典型值为67纳库伦。这种快速开关特性使其在高频开关应用中表现出色,如D类音频放大器和高频开关电源。

    - 高温度稳定性:FQP55N06具有良好的热性能,其最大结温(T_J)为175摄氏度。这种高温度稳定性使其在高温环境下仍能可靠工作,适用于一些极端工作条件下的应用。

    综上所述,FQP55N06凭借其优异的性能参数和广泛的应用场景,成为了许多电子工程师在设计高效电路时的首选器件。无论是在电源管理、电动机控制、汽车电子、太阳能逆变器,还是音频放大器中,FQP55N06都能发挥其卓越的性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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