PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:-3.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:-400VRDS(ON)Ω内阻:3.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:-1.75AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理系统:FQP4P40在电源管理系统中用作开关元件,能够高效地控制电源的开关,提供稳定的电压输出。
2. 电动机驱动:在电动机控制电路中,FQP4P40可以用于驱动电动机的高效开关,保证电动机的平稳启动和停止。
3. 逆变器和转换器:在逆变器和DC-DC转换器中,FQP4P40被用来实现高效的电能转换,适用于太阳能发电和电动汽车充电等场景。
4. 开关电源:FQP4P40在开关电源中作为开关元件,能够提高电源转换效率,减少能量损耗,适用于计算机、通信设备等。
5. 负载开关:在各种负载开关电路中,FQP4P40可以用于控制电流的通断,保护电路和设备不受过流损坏。
二、参数特点:
- 最大漏极-源极电压(V_DS):FQP4P40的最大漏极-源极电压为-40V。这意味着它可以在最高40伏的反向电压下正常工作,适用于中低压应用场景。
- 最大漏极电流(I_D):FQP4P40的最大漏极电流为-4.5A。在实际应用中,这个电流值决定了它能够处理的最大负载电流。
- 导通电阻(R_DS(on):FQP4P40的导通电阻非常低,典型值为0.1Ω(在V_GS = -10V时)。低导通电阻意味着它在导通状态下的功耗较低,效率更高。
- 栅极-源极电压(V_GS):FQP4P40的最大栅极-源极电压为±20V。这使得它可以在较高的栅极驱动电压下工作,提供更强的驱动能力。
- 热阻(R_thJC):FQP4P40的结到壳热阻为3.5°C/W,这表示其良好的散热性能,适合高功率应用。
FQP4P40是一款性能优异的P沟道MOSFET,适用于多种电源管理和控制电路。它的高效能和低功耗特性,使其成为电子工程师在设计电源和控制电路时的理想选择。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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