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场效应MOS管FQP4N80参数

PD最大耗散功率:130WID最大漏源电流:3.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:3.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.95AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP4N80是一款高压功率MOSFET,广泛应用于各类电源转换和电机控制的场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQP4N80在开关电源中用于高效的电能转换。其高电压和高电流处理能力,使其成为开关电源中关键的功率元件,能够有效减少能量损耗,提高系统效率。

    2. 逆变器:在光伏系统和不间断电源(UPS)中,FQP4N80用于直流到交流电的转换。其快速开关特性和低导通电阻,确保了逆变器的高效运行和稳定输出。

    3. 电机驱动:FQP4N80在电机驱动应用中,通过调节电压和电流来控制电机的速度和方向。其高电压耐受能力,适合工业电机控制和家庭电器的电机驱动。

    4. 照明设备:在LED驱动电路和HID灯的电源管理中,FQP4N80用于高效能量转换,提供稳定的电流和电压输出,提升照明系统的性能和寿命。

    5. 电动车和电动工具:FQP4N80在电动车和电动工具中,用于电池管理和电机控制。其高功率处理能力和快速响应特性,确保了电动车和电动工具的高效运行和可靠性。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(VDS):FQP4N80的最大漏源电压为800V,这意味着它能够处理高达800伏的电压,使其适用于高压电源转换和电机控制应用。

    - 最大漏极电流(ID):FQP4N80的最大漏极电流为4A,在适当的散热条件下,可以处理4安培的连续电流,适合高功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):FQP4N80的栅极电荷为63nC(典型值),这意味着它可以在较低的栅极驱动能量下实现快速开关,有助于提高开关电源和逆变器的效率。

    - 导通电阻(RDS(on)):FQP4N80的导通电阻为1.6Ω(最大值),低导通电阻降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率,特别是在高频应用中表现优异。

    - 安全工作区(SOA):FQP4N80具备良好的安全工作区(SOA),能够在高压和高电流的极端条件下稳定工作,确保其在各种严苛应用中的可靠性和耐久性。

    综上所述,FQP4N80凭借其高压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性,成为各种高效能量转换和电机控制应用中的理想选择。无论是在开关电源、逆变器、电机驱动,还是照明设备和电动车电动工具中,FQP4N80都能提供卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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