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场效应MOS管FQP4N50参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:3.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:2.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP4N50是一款功率场效应晶体管(Power MOSFET),主要应用于多个场景和具有特定的参数特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQP4N50常用于开关电源(SMPS)中,尤其是在高效DC-DC转换器和AC-DC转换器中。它的低导通电阻和高开关速度使其在这种应用中非常适合。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,FQP4N50能够有效地控制电流流动,提供高效的电能转换和管理,广泛应用于电动车辆、工业自动化设备等领域。

    3. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,FQP4N50可以用于逆变器部分,将直流电转换为交流电,以供家庭或电网使用。其高效率和耐高压特性使其在这类应用中表现出色。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQP4N50被用来管理电力的转换和储存,确保在电力中断时提供稳定的电力输出。

    5. LED驱动器:在LED照明系统中,FQP4N50可用于驱动和调节LED灯的电流,提供稳定的亮度和高效的能量使用。

    二、参数特点:

    - 击穿电压(Vds):FQP4N50的击穿电压为500V,意味着它可以在高电压环境中安全运行,不易被高电压击穿损坏。

    - 导通电阻(Rds(on)):FQP4N50的导通电阻仅为1.6Ω(最大值),在导通状态下,能够减少电能损耗,提高系统效率。

    - 最大漏极电流(Id):FQP4N50的最大漏极电流为4A,使其可以处理较大的电流,适用于大功率应用。

    - 开关速度:FQP4N50具备较快的开关速度,能够迅速响应电压变化,适合高频开关电路。这有助于提高电源转换效率,减少能量损耗。

    - 栅极电荷(Qg):FQP4N50的总栅极电荷较低,为38nC,使得它在驱动时所需的功率较低,提升了整体电路的效率。

    综上所述,FQP4N50结合了高电压耐受性、低导通电阻和快速开关特性,使其成为许多高效电源管理和电力转换应用中的理想选择。这些特点不仅保证了其在各种应用场景中的可靠性和稳定性,也为其广泛应用奠定了基础。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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