PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:3.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:1.35ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理系统:在开关电源、DC-DC转换器和AC-DC转换器中,FQP4N20L经常用作开关器件。它可以高效地处理高电压和大电流,确保系统的稳定运行。
2. 电动工具:许多电动工具,如电钻、电锯等,都会使用FQP4N20L来驱动电机。这款MOSFET能够提供高效的电流管理和控制,使工具具有更高的性能和更长的使用寿命。
3. 汽车电子:在汽车电子中,FQP4N20L被广泛应用于各种控制单元,如发动机控制模块、车身控制模块等。它能够在高温和严苛的环境下稳定工作,确保车辆电子系统的可靠性。
4. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,FQP4N20L常被用来进行直流到交流的电力转换。它能够高效地处理高频开关操作,最大化发电效率。
5. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,FQP4N20L用于驱动各种负载,如电机、继电器和加热元件。其高耐压和高电流处理能力,使其在工业应用中表现优异。
二、参数特点:
- 耐压能力:FQP4N20L的漏源极耐压(Vds)为200V,能够在高电压环境下稳定工作。这使其特别适用于需要高电压开关操作的应用场景。
- 导通电阻:FQP4N20L的典型导通电阻(Rds(on))为1.9Ω,这在同类产品中属于较低水平。较低的导通电阻意味着在导通状态下的功耗更低,提高了整体效率。
- 最大漏极电流:FQP4N20L的最大连续漏极电流(Id)为4A,这使其能够处理相对较大的电流负载,适用于驱动较大功率的设备。
- 栅极电荷:FQP4N20L的栅极电荷(Qg)较低,为25nC。这使得它能够以较低的栅极驱动功率实现快速开关,有利于提高开关频率和整体效率。
- 封装类型:FQP4N20L采用TO-220封装,这种封装具有良好的散热性能和机械强度,适合在需要高散热能力和可靠性的应用中使用。
综上所述,FQP4N20L是一款性能优异的N沟道功率MOSFET,其高耐压、低导通电阻和高电流处理能力,使其在电源管理、电动工具、汽车电子、光伏逆变器和工业控制等应用中表现出色。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
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