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场效应MOS管FQP44N08参数

PD最大耗散功率:127WID最大漏源电流:44AV(BR)DSS漏源击穿电压:80VRDS(ON)Ω内阻:0.034ΩVRDS(ON)ld通态电流:22AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP44N08是一种常见的N沟道MOSFET(场效应晶体管),它在各种电力电子应用中得到了广泛的应用。由于其出色的电气特性和可靠性,FQP44N08被广泛用于以下几个领域:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源(SMPS)中,FQP44N08常被用作功率开关。其低导通电阻和高开关速度使其能够高效地转换电能,减少能量损耗,提高整体效率。

    2. 电机驱动:FQP44N08适用于各种电机驱动应用,包括直流电机和无刷直流电机。在这些应用中,它们用于控制电机的启动和停止,以及调节电机的速度和方向。

    3. 逆变器:在太阳能和风能系统中,FQP44N08常用于逆变器电路。逆变器将直流电转换为交流电,这对于将可再生能源接入电网是必要的。FQP44N08的高效性能确保了能量转换的有效性。

    4. 汽车电子:在现代汽车电子系统中,FQP44N08用于各种控制模块,如电池管理系统(BMS)、电动助力转向(EPS)和车身控制模块(BCM)。其高耐压和高电流能力使其在这些高要求应用中表现出色。

    5. 照明控制:FQP44N08也被应用于LED照明控制电路。其快速开关能力和低导通电阻有助于提高LED驱动电路的效率和可靠性。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(VDS):FQP44N08的最大漏源电压为80V,这使其适合于中等电压范围的应用。这一特性确保了在各种应用场景下的可靠运行。

    - 导通电阻(RDS(on)):FQP44N08的典型导通电阻仅为11毫欧(mΩ),这意味着它在导通状态下的电能损耗非常低。低导通电阻有助于提高电路的整体效率,减少热量产生。

    - 最大漏极电流(ID):FQP44N08可以承受最高49A的连续漏极电流,这使其适合高电流应用,如电机驱动和开关电源。

    - 栅极电荷(Qg):FQP44N08的总栅极电荷为67nC,表明其具有较低的驱动功率需求。这一特性有助于减少驱动电路的复杂性和功耗。

    - 封装形式:FQP44N08通常采用TO-220封装,这种封装具有良好的热性能和机械强度,便于安装和散热。

    综上所述,FQP44N08由于其优异的电气性能和可靠性,被广泛应用于各种电力电子领域。从开关电源到汽车电子,它的低导通电阻、高耐压和高电流能力,使其在许多应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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