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场效应MOS管FQP3N90参数

PD最大耗散功率:130WID最大漏源电流:3.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:4.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP3N90是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。它具有出色的电气特性和可靠的性能,使其成为许多应用场景中的理想选择。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQP3N90常用于开关电源电路中,特别是高压侧开关。由于其高击穿电压和低导通电阻,它能有效地处理高压和大电流,提供高效的电能转换。

    2. 照明电路:在LED驱动器和荧光灯镇流器等照明应用中,FQP3N90作为功率开关元件,能够提供稳定的电流控制和高效的功率转换,从而延长灯具的使用寿命。

    3. 电机控制:在电动机驱动电路中,FQP3N90因其高效能和高可靠性,常用于直流电动机和无刷电机的控制模块,提供精确的电流和电压调节。

    4. 太阳能逆变器:太阳能系统中的逆变器需要将直流电转换为交流电,FQP3N90作为其中的关键开关元件,能够实现高效的电能转换,最大化太阳能的利用率。

    5. 工业控制:在各种工业控制系统中,FQP3N90用于功率管理和信号控制模块,确保系统的稳定运行和高效能量传输。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FQP3N90的漏源击穿电压高达900V,这使其能够在高压环境下可靠工作,适用于需要高耐压能力的应用场景。

    - 低导通电阻:在Vgs为10V时,FQP3N90的导通电阻仅为2.6Ω,这意味着在导通状态下,功率损耗较低,有助于提高电路的整体效率。

    - 高电流处理能力:FQP3N90的连续漏极电流为3A,这使其能够处理较大的电流负载,适用于大功率转换和驱动应用。

    - 快速开关速度:由于其较低的栅极电荷和较快的开关速度,FQP3N90在高频开关电路中表现出色,能够提高电路的响应速度和效率。

    - 热稳定性好:FQP3N90具备良好的热性能,在高温条件下仍能保持稳定的工作特性,减少了热失效的风险,提高了设备的可靠性和使用寿命。

    综上所述,FQP3N90因其优越的电气特性和广泛的应用领域,在许多电子和电力应用中都发挥着至关重要的作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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