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场效应MOS管FQP3N40参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:2.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:3.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP3N40是一种常用于各种电子设备中的N沟道增强型功率MOSFET。它的广泛应用归因于其优越的性能参数和多功能性。以下详细介绍FQP3N40的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP3N40常被用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。它的高效能和低导通电阻使其在高频率切换应用中表现出色,能够有效降低开关损耗,提高整体效率。

    2. 电机驱动:在电动机驱动电路中,FQP3N40凭借其快速开关速度和高电流处理能力,能够驱动各种类型的电动机,如直流电机和步进电机。它能在较高电流条件下保持稳定的性能,保证电机的平稳运行。

    3. 音频放大器:FQP3N40也被广泛应用于高保真音频放大器中。它的低噪声和高增益特性,使得音频信号能够得到高质量的放大,保证音质的纯净和清晰。

    4. 照明控制:在LED照明控制电路中,FQP3N40通过其高效能和稳定性,确保LED灯具的长寿命和稳定亮度。它可以在不同的亮度控制模式下,提供可靠的电流控制。

    5. 充电器和适配器:各种便携式电子设备的充电器和电源适配器中也常见FQP3N40的身影。它能够提供高效的电能转换和稳定的输出电压,确保设备的安全充电。

    二、参数特点:

    - 电压和电流能力:FQP3N40的最大漏极-源极电压(Vdss)为400V,最大连续漏极电流(Id)为2.8A。这使得它在高电压和中等电流应用中具备良好的适用性。

    - 导通电阻:FQP3N40具有较低的导通电阻(Rds(on)),典型值为3.5Ω,这意味着它在导通状态下的功率损耗较小,有助于提高整个电路的效率。

    - 开关速度:它具有较快的开关速度,典型的开关时间(ton和toff)分别为10ns和25ns。这使得FQP3N40在高频应用中能够有效降低开关损耗,提升系统性能。

    - 热性能:FQP3N40的热阻(Rθjc)较低,只有3.75°C/W,这意味着它能够更好地散热,适用于高功率应用。它的结温范围(Tj)为-55°C到150°C,确保在各种环境条件下都能稳定工作。

    - 输入电容:FQP3N40的输入电容(Ciss)为360pF,较低的输入电容使得它在开关过程中能更快响应,减少滞后效应,对高速开关应用非常有利。

    通过以上详细介绍,我们可以看到FQP3N40在电源管理、电机驱动、音频放大、照明控制和充电器等多个领域都有广泛的应用。其卓越的电气参数和性能特点使其成为各类电子设备中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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