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场效应MOS管FQP3N30参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:3.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:2.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP3N30是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细探讨其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP3N30常用于开关电源和DC-DC转换器中。其高效的开关性能使其成为电源管理电路中的理想选择,可以有效提高系统效率并减少能量损耗。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,FQP3N30可以用作电机驱动器,特别是在需要高频率切换和低导通损耗的场合。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够有效驱动不同类型的电机。

    3. 照明系统:FQP3N30适用于LED照明系统,特别是在需要调光功能的场合。其快速开关能力和高效率使其成为LED驱动电路的理想选择,有助于实现高效且稳定的照明控制。

    4. 电池管理系统:在电池充电和放电管理中,FQP3N30用于控制充电电流和保护电池免受过载影响。其高电流处理能力和可靠性使其在电池管理系统中发挥关键作用。

    5. 音频放大器:FQP3N30也常用于高保真音频放大器中,利用其低失真和高效率的特点,提供高质量的音频输出。其快速响应和低噪声特性使其适合于音频信号的放大和处理。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):FQP3N30的最大漏源电压为300V,这使其能够在高电压环境中稳定运行,适用于各种需要高耐压的应用场合。

    - 导通电阻(Rds(on)):其典型导通电阻为1.15Ω,这意味着在开关状态下具有较低的功耗和发热量,提升了整体效率和可靠性。

    - 漏极电流(Id):FQP3N30的最大连续漏极电流为3A,允许其在大电流条件下稳定工作,适用于高功率需求的应用。

    - 门极电荷(Qg):其典型门极电荷为16nC,较低的门极电荷使其具有快速的开关速度,适用于需要高频切换的应用场合,如开关电源和脉宽调制(PWM)控制。

    - 热阻(Rth):FQP3N30具有良好的热阻特性,最大结点到环境的热阻为62.5°C/W,这有助于在高功率应用中有效散热,确保器件的稳定性和长寿命。

    通过以上分析可以看出,FQP3N30凭借其优越的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效开关和高电压处理的电子设备中。在设计和选型过程中,充分了解其应用场景和参数特点,对于实现高效可靠的电子系统至关重要。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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