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场效应MOS管FQP32N12V2参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:32AV(BR)DSS漏源击穿电压:120VRDS(ON)Ω内阻:0.05ΩVRDS(ON)ld通态电流:16AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP32N12V2是一种N沟道增强型功率MOSFET,其在多个应用场景中展现出显著的优势,并具有独特的参数特点。以下详细介绍FQP32N12V2的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQP32N12V2在开关电源中,通常用于高效的电源转换,提供稳定的输出电压。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频操作中表现出色,减少了开关损耗。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,FQP32N12V2能够高效地处理电流,提供稳定的驱动能力。其高耐压和大电流处理能力,使其适合用于直流电机和步进电机的控制。

    3. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,FQP32N12V2被用于逆变器电路,以提高转换效率。其高效能和可靠性,保证了太阳能转换的高效性和稳定性。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,FQP32N12V2被用于电源管理和控制系统,能够承受汽车环境中的高温和高压,确保系统的稳定运行。

    5. 便携式设备:在便携式设备中,FQP32N12V2的低功耗特性使其成为电池管理和能量转换电路的理想选择,延长了设备的电池寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQP32N12V2的导通电阻非常低,典型值为0.036欧姆。这意味着在导通状态下损耗很小,提高了整体电路的效率。

    - 高耐压(VDS):FQP32N12V2的漏源击穿电压为100V,这使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    - 大电流处理能力(ID):FQP32N12V2最大连续漏极电流为32A,能够处理较大的电流,适用于高功率需求的应用。

    - 快速开关速度:FQP32N12V2具有快速的开关速度,开关时间仅为纳秒级。这在高频应用中尤为重要,能够减少开关损耗,提高系统效率。

    - 耐高温:FQP32N12V2的结温最高可达175摄氏度,适应高温环境工作,特别适合工业和汽车电子等需要耐高温特性的应用。

    通过以上对FQP32N12V2的详细介绍,可以看出其在多种应用场景中都具有显著的优势和独特的参数特点。FQP32N12V2的低导通电阻、高耐压、大电流处理能力、快速开关速度和耐高温特性,使其成为功率MOSFET中的优选型号。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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