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场效应MOS管FQP2N90参数

PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:2.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:7.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP2N90是一种常见的功率MOSFET,其广泛应用于各种电子设备和系统中。以下是一些典型的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQP2N90常用于开关电源(SMPS)中,作为高效的开关元件。其高耐压特性使其适合于高电压应用,如AC-DC转换器和DC-DC转换器。这些电源广泛应用于计算机、通信设备和消费电子中。

    2. 电机控制:在电机控制电路中,FQP2N90经常作为功率开关使用。由于其快速的开关速度和高效率,可以有效地控制直流电机和步进电机的运转。常见的应用包括工业自动化设备、电动工具和机器人。

    3. 逆变器:在逆变器应用中,FQP2N90用作主要的开关元件,负责将直流电转换为交流电。其高效率和高可靠性使其在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中得到了广泛应用。

    4. 照明控制:FQP2N90在LED照明控制电路中也得到了广泛应用。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够高效地驱动大功率LED,从而提高照明系统的整体效率。

    5. 音频放大器:在音频放大器中,FQP2N90用作功率放大器的输出级元件。其低失真和高线性度特性能够提供高质量的音频输出,常见于家庭音响系统和专业音响设备中。

    二、参数特点:

    - 耐压值:FQP2N90的漏源极耐压(Vdss)为900V。这意味着它能够在高电压环境下工作,适用于需要高耐压的电源和转换器应用。

    - 导通电阻:FQP2N90的导通电阻(Rds(on))典型值为5.2欧姆。这一参数直接影响了器件的功耗和效率,较低的导通电阻有助于提高系统的整体效率。

    - 最大电流:FQP2N90的最大连续漏极电流(Id)为2A。这个参数决定了它能处理的最大电流,从而影响其在大电流应用中的表现。

    - 开关速度:FQP2N90具有快速的开关速度,典型的开关时间在几十纳秒级别。这使其能够在高频开关电路中表现优异,提高了电路的整体效率和响应速度。

    - 封装形式:FQP2N90通常采用TO-220封装。这种封装形式具有良好的散热性能,适合需要高功率处理能力的应用,同时也便于安装和使用。

    通过了解FQP2N90的应用场景和参数特点,可以更好地选择和使用这款功率MOSFET,以满足各种电子设备和系统的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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