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场效应MOS管FQP2N80参数

PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:2.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:6.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP2N80是一款高压场效应管(MOSFET),广泛应用于各种需要高压、高效率开关的电路。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:FQP2N80在电源转换器中应用广泛,尤其是开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,用于实现高效率的电能转换。

    2. 照明设备:在LED照明驱动电路中,FQP2N80用于控制高压电源,实现稳定的电流输出,提高照明设备的整体效率。

    3. 工业控制:FQP2N80在工业自动化和控制系统中,作为开关器件用于控制电机和其他高压设备,确保系统的可靠性和稳定性。

    4. 逆变器:在逆变器电路中,FQP2N80用于高效地转换直流电为交流电,广泛应用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)中。

    5. 汽车电子:FQP2N80在汽车电子系统中,用于控制高压电路,例如电动汽车的电池管理系统,确保电池的安全和高效使用。

    二、参数特点:

    - 高压能力:FQP2N80具有800V的漏源击穿电压,使其能够处理高压应用,适合各种工业和消费类电子设备。

    - 低导通电阻:FQP2N80的导通电阻较低(典型值为1.6Ω),在导通时能够减少能量损耗,提高电路效率。

    - 高开关速度:这款MOSFET具有快速的开关速度,能够在高频率操作中保持优异的性能,适合高效率的电源转换应用。

    - 低栅极电荷:FQP2N80的栅极电荷较低(典型值为40nC),有助于减少驱动损耗,提高整体系统效率。

    - 封装形式:FQP2N80采用TO-220封装,具有良好的散热性能,适用于需要高功率处理能力的应用场景。

    综上所述,FQP2N80是一款性能卓越的高压场效应管,其高压能力、低导通电阻和高开关速度使其在多种应用中表现出色。从电源转换到照明设备,再到工业控制和汽车电子,FQP2N80都能提供可靠的解决方案,确保系统的高效运行和稳定性。FQP2N80的应用前景广阔,是现代电子设备中不可或缺的关键元件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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