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场效应MOS管FQP2N50参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:2.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:5.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.05AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP2N50是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),在各种电力电子应用中广泛使用。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQP2N50常用作高频开关器件。其高耐压特性使其能够在高电压环境下工作,提供稳定的开关性能。

    2. 电机控制:FQP2N50也用于电机驱动和控制电路中,特别是在直流电机和无刷电机控制中。这类应用需要高效的开关元件来控制电流和电压,从而精确控制电机的速度和方向。

    3. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,FQP2N50用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。其高效和高耐压特性使其能够应对光伏系统中的高电压和高功率转换需求。

    4. UPS(不间断电源)系统:FQP2N50在UPS系统中扮演关键角色,提供电力转换和电压调节功能。它能够确保在电源中断时,系统仍能稳定供电。

    5. 高频逆变器:在高频逆变器电路中,FQP2N50能够提供快速开关和高效率的功率转换。这使其适用于各种需要高频高效转换的应用,如感应加热和无线充电系统。

    二、参数特点:

    - 高耐压特性:FQP2N50的最大漏源极电压(V_DS)高达500V,这使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高压转换的应用。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(R_DS(on))为1.9Ω,这意味着在开通状态下具有较低的功率损耗,提高了整体电路的效率。

    - 大电流处理能力:FQP2N50的最大漏极电流(I_D)为2A,使其能够处理较大的电流,适用于需要高电流的应用场景。

    - 快速开关速度:FQP2N50的开关速度非常快,能够在高频工作条件下稳定运行。这对开关电源和高频逆变器等应用尤为重要,确保了高效率的电能转换。

    - 热性能优越:其结-壳热阻(R_θJC)仅为1.25°C/W,表明其具有良好的散热性能。即使在高功率工作情况下,也能保持较低的结温,提高了器件的可靠性和寿命。

    综上所述,FQP2N50凭借其高耐压、低导通电阻、大电流处理能力、快速开关速度和优越的热性能,成为多种电力电子应用中的理想选择。无论是在开关电源、电机控制、光伏逆变器还是UPS系统中,FQP2N50都展现出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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