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场效应MOS管FQP2N30参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:2.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:3.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.05AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP2N30是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。以下是关于FQP2N30的应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQP2N30常用于开关电源中,作为主开关管。由于其低导通电阻和高开关速度,使其在高效能的DC-DC转换器中表现出色,能够有效降低功耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FQP2N30可以用作电机的控制开关。其高电流承载能力和快速响应特性,使其能够在电机启动和停止时提供稳定的性能,适用于各种工业控制和家电产品中的电机驱动电路。

    3. 太阳能逆变器:FQP2N30在太阳能逆变器中也有广泛应用。其高击穿电压和低导通电阻,使其在处理太阳能板输出的高电压和高电流时表现出色,有助于提高逆变器的整体效率和可靠性。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统(BMS)中,FQP2N30用于电池组的充电和放电控制。其低导通电阻可以减少能量损失,延长电池寿命,同时其高电流处理能力确保了系统的安全性和可靠性。

    5. 音频放大器:FQP2N30在音频放大器中作为输出级功率管使用。其线性度好、失真低的特点,能够提供高质量的音频输出,使其在高保真音响设备中得到广泛应用。

    二、参数特点:

    - 击穿电压(Vds):FQP2N30的漏源击穿电压高达300V,这使得它在高电压应用中具有显著优势,可以承受较大的电压冲击而不被击穿。

    - 导通电阻(Rds(on)):FQP2N30的典型导通电阻为2.5Ω(Vgs=10V),这种低导通电阻特性使得其在导通状态下的功耗较低,有助于提高电路的整体效率。

    - 最大漏极电流(Id):FQP2N30的最大连续漏极电流为2A,这表明它能够处理较大的电流,适用于各种高电流应用场景,如电机驱动和电源管理系统。

    - 栅极电荷(Qg):FQP2N30的栅极电荷为20nC,这一参数决定了其开关速度。较低的栅极电荷使得其在高频开关应用中能够快速响应,提高系统的工作效率。

    - 热阻(Rθjc):FQP2N30的结到壳热阻为62.5°C/W,这一特性表明其在高功率应用中具有良好的散热性能,有助于提高器件的可靠性和使用寿命。

    综上所述,FQP2N30凭借其高击穿电压、低导通电阻、高电流承载能力和快速响应特性,在电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、电池管理系统以及音频放大器等领域得到了广泛应用。其优越的参数性能确保了在各种应用场景中的高效稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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