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场效应MOS管FQP27N25参数

PD最大耗散功率:180WID最大漏源电流:25.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.11ΩVRDS(ON)ld通态电流:12.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP27N25是一种高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子和电力系统中。以下分别介绍FQP27N25的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP27N25常用于开关电源和DC-DC转换器中。由于其低导通电阻和高电流承载能力,能够有效地提高转换效率,减少能量损耗。在这些应用中,FQP27N25的高开关速度也有助于提高电路的整体性能。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,FQP27N25被用作功率开关器件。它能够承受高电流和高电压,同时具有较低的导通损耗和高效的热管理性能,使其在电机驱动应用中表现出色,特别是在工业自动化和家用电器领域。

    3. 太阳能逆变器:FQP27N25在太阳能逆变器中用作关键的开关器件,帮助将直流电转换为交流电。它的高效能和高可靠性,确保了逆变器的稳定运行和高转换效率,使其成为太阳能发电系统中的重要组成部分。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统(BMS)中,FQP27N25被用于控制电池的充放电过程。它能够提供高效的电流控制,保护电池不受过充或过放的损害,从而延长电池的使用寿命。

    5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,FQP27N25常用作输出级的功率器件。其高线性度和低失真特性,有助于实现高质量的音频输出,提供更好的听觉体验。

    二、参数特点:

    - 电压和电流额定值:FQP27N25的漏源电压(Vds)额定值为250V,最大连续漏极电流(Id)为27A。这些参数使其适用于需要高电压和高电流处理能力的应用场合,如电源管理和电机驱动。

    - 低导通电阻:FQP27N25的典型导通电阻(Rds(on))为62mΩ。这一特点使其在工作时产生的功率损耗较低,有助于提高整体效率,并减少热量的产生,尤其适用于高效能电源转换应用。

    - 高开关速度:FQP27N25具有快速开关特性,典型的开关时间在纳秒级别。这使其在高频率的开关电路中表现优异,如开关电源和DC-DC转换器,有助于减少开关损耗和提高系统效率。

    - 热管理性能:FQP27N25具有良好的热性能,允许结温最高可达175摄氏度。其热阻较低,使其在高功率应用中能够有效地管理热量,确保器件的稳定性和可靠性。

    - 封装形式:FQP27N25采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合需要高电流、高散热能力的应用。这种封装形式也便于安装和散热器的连接,提高了整体系统的可靠性。

    综上所述,FQP27N25以其高电压、高电流处理能力,低导通电阻,高开关速度,以及优异的热管理性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、电池管理系统和音频放大器等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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