PD最大耗散功率:63WID最大漏源电流:-1.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:-500VRDS(ON)Ω内阻:10.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:-0.75AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA
立即咨询一、参数特点:
1. 低导通电阻:FQP1P50具有低导通电阻,这意味着在导通状态下,它可以提供较小的功率损耗,有助于提高整体效率。
2. 高耐压特性:该型号的MOSFET具有较高的耐压特性,能够承受较高的电压,适用于需要高电压环境的电路设计。
3. 快速开关特性:FQP1P50具有较快的开关速度,可以迅速从导通到截止状态切换,适用于需要高频率开关的应用。
4. 低开启电压:在开启时,该型号的MOSFET具有较低的开启电压,这有助于降低驱动电路的功耗。
5. 温度稳定性:FQP1P50具有良好的温度稳定性,即使在高温环境下,其性能也能保持稳定。
二、应用场景:
1. 电源开关:FQP1P50常用于开关电源设计中,能够有效地控制电流的流动和开关状态,提高电源的效率和稳定性。
2. 电机驱动:在电机控制电路中,FQP1P50可以作为电机驱动器的一部分,帮助控制电机的启停和速度调节。
3. LED照明:在LED照明系统中,FQP1P50可以用作LED驱动器的一部分,控制LED灯的亮度和开关状态。
4. 电动汽车充电器:在电动汽车充电器设计中,FQP1P50可以用于功率开关电路,帮助实现快速充电和高效能转换。
5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FQP1P50可以用于功率逆变电路,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
综上所述,FQP1P50作为一款高性能的功率MOSFET,在电源管理、开关电路和电机控制等领域具有广泛的应用前景,其特点和应用场景使得它成为工程师们设计电路时的重要选择之一。
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