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场效应MOS管FQP1N60参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:1.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:11.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP1N60是一款高压功率MOSFET,广泛应用于多种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍FQP1N60的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:FQP1N60常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。由于其高压和高效的特点,能够在高频率下稳定运行,提供可靠的电源转换功能。

    2. 电机驱动:在电动机驱动领域,FQP1N60能够有效控制电流和电压,适用于变频器和伺服驱动器。其高耐压能力和低导通电阻使其在高功率应用中表现出色。

    3. 照明设备:FQP1N60还应用于LED驱动电路中。其高效的开关性能能够提高LED照明系统的整体效率,减少能耗和热损失。

    4. 逆变器:在光伏逆变器和风力发电逆变器中,FQP1N60可用于高压直流到交流的转换,确保系统稳定运行并提高能量转换效率。

    5. 消费电子产品:FQP1N60也广泛应用于各种消费电子产品中,如电视、电冰箱、洗衣机等,提供高效的电源管理和控制。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:FQP1N60的漏源极击穿电压(BVDSS)高达600V,使其能够在高压环境中安全运行。这一特点使其适用于需要高耐压能力的应用场景,如电源转换器和逆变器。

    - 低导通电阻:其典型的导通电阻(RDS(on))为1.8Ω,有助于降低功率损耗,提高系统效率。低导通电阻也是其在电机驱动和LED驱动应用中表现优异的原因之一。

    - 开关性能:FQP1N60具有快速的开关速度,典型的开关时间(tr + tf)约为38ns。这使得它在高频开关电路中具有良好的性能,能够有效减少开关损耗。

    - 功率耗散:该器件的最大功率耗散(Pd)为125W,在良好的散热条件下,能够处理高功率的应用。高功率耗散能力使其在高功率电源转换和电机驱动应用中非常实用。

    - 栅极电荷:FQP1N60的总栅极电荷(Qg)为70nC,有助于降低驱动损耗,提高系统的整体效率。较低的栅极电荷使其在高频应用中能够更加高效地运行。

    通过对FQP1N60的详细介绍,可以看出这款高压功率MOSFET在多种应用场景中具有显著的优势。其高耐压、低导通电阻、快速开关和高功率耗散等特点,使其成为电源转换、电机驱动、照明设备、逆变器及消费电子产品中不可或缺的重要器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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