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场效应MOS管FQP19N20C参数

PD最大耗散功率:139WID最大漏源电流:19AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.17ΩVRDS(ON)ld通态电流:9.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP19N20C是一款N沟道场效应管(MOSFET),在各种电路中具有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQP19N20C可以用作开关元件,用于电源开关和稳压器中。它能够有效地控制电流流动,提供稳定的电压输出。

    2. 电机驱动:在直流电机控制电路中,FQP19N20C可作为电流控制和电机驱动的关键部件。其低导通电阻和高开关速度使其成为控制电机的理想选择。

    3. 照明系统:FQP19N20C适用于LED驱动电路和照明系统中的电流控制和功率管理。通过控制其通断状态,可以实现照明亮度的调节和节能效果。

    4. 电池管理:在充电和放电过程中,FQP19N20C可以作为电池管理系统中的开关,实现对电池充放电过程的精确控制和保护。

    5. 逆变器和变换器:在逆变器和变换器电路中,FQP19N20C可用于控制电流流动和输出电压的调节,用于各种应用如UPS系统、太阳能逆变器等。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):FQP19N20C具有较低的导通电阻,能够降低功率损耗和提高效率。

    2. 高开关速度:其快速的开关特性使其在高频应用中表现出色,有助于提高系统的响应速度。

    3. 高耐压能力:FQP19N20C具有较高的耐压能力,可以在较高的电压环境下稳定工作,提供可靠的性能。

    4. 低开启电压(VGS(th)):具有低的开启电压,能够实现对其控制的精确性和稳定性。

    5. 良好的温度特性:FQP19N20C在不同温度下的性能稳定,能够适应各种工作环境并保持良好的工作状态。

    总的来说,FQP19N20C作为一款性能稳定、可靠性高的MOSFET,适用于多种电源管理、电机控制、照明系统等领域,具有广泛的应用前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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