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场效应MOS管FQP18N50V2参数

PD最大耗散功率:208WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.265ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP18N50V2是一种高压MOSFET,常用于多种电子电路和设备中。本文将详细介绍FQP18N50V2的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQP18N50V2广泛应用于开关电源(SMPS)、电源适配器和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。由于其高耐压和低导通电阻的特点,使其在高效能电源管理系统中发挥关键作用。

    2. 电动工具:在电动工具中,FQP18N50V2能够提供高效的电能转换和稳定的电流供应,确保电动工具在高负荷工作下仍能稳定运行,延长设备的使用寿命。

    3. 逆变器:在逆变器应用中,FQP18N50V2的高压特性和快速开关速度,使其成为转换直流电为交流电的理想选择,特别是在太阳能和风能发电系统中。

    4. 电动汽车:FQP18N50V2在电动汽车的电池管理系统(BMS)中也有重要应用。其高效能和高可靠性帮助优化电池性能,延长电池寿命,并提高电动汽车的整体效率。

    5. 工业控制系统:在各种工业控制系统中,FQP18N50V2用于控制高压设备和电机驱动器,提供高效能和精确的控制,确保工业设备的安全和可靠运行。

    二、参数特点:

    - 高耐压:FQP18N50V2的漏源极耐压高达500V,适用于高压应用场景,能够承受较大的电压冲击,确保电路的稳定性和安全性。

    - 低导通电阻:FQP18N50V2的导通电阻仅为0.28Ω(最大值),这意味着在导通状态下损耗较低,有助于提高整体电路的效率,减少功耗。

    - 高电流承载能力:FQP18N50V2的连续漏极电流(ID)为18A,脉冲漏极电流(IDM)可达72A,能够承载较大的电流,适用于大功率应用。

    - 快速开关特性:FQP18N50V2具有较短的开关时间,导通时间(ton)和关断时间(toff)分别为45ns和70ns。这使其在高频应用中表现出色,能够迅速响应控制信号,减少延迟。

    - 热性能:FQP18N50V2的结到环境的热阻(RθJA)为62.5°C/W,结到壳的热阻(RθJC)为1.25°C/W,良好的热性能确保器件在高温环境下仍能稳定运行,有效散热,延长使用寿命。

    综上所述,FQP18N50V2凭借其高耐压、低导通电阻、高电流承载能力、快速开关特性和优异的热性能,成为众多电子应用中的理想选择。这些特点使其在电源管理系统、电动工具、逆变器、电动汽车和工业控制系统中得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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