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场效应MOS管FQP17N40参数

PD最大耗散功率:170WID最大漏源电流:16AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.27ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP17N40是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电源管理和功率放大电路中。它具有一系列的参数特点,使其在不同场景下发挥优秀的性能。

    一、应用场景:

    1. 电源开关:FQP17N40在电源开关中承受较高的电压和电流,有效控制电路开关,实现高效能量转换。

    2. 电机驱动器:FQP17N40能够提供可靠的功率放大,驱动各种电机,保证工业自动化和机器人应用的高效率和动态响应。

    3. 电源逆变器:FQP17N40能够将直流电源转换为交流电源,广泛应用于太阳能逆变器、UPS系统等领域。

    4. 高频开关电源:FQP17N40能够快速进行开关操作,实现高频率的能量转换,广泛应用于电子设备的开关电源、通信设备的直流-直流变换器等。

    5. 功率放大器:FQP17N40能够提供稳定的功率放大,使其成为各种音频功率放大器和音响系统中的理想选择。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻: FQP17N40具有低导通电阻,保证电源开关和功率放大的高效率。

    2. 高速开关特性:FQP17N40具有快速的开关特性,确保电源开关和逆变器电路的稳定性。

    3. 耐受高电压:FQP17N40能够承受较高的电压,适用于各种高压应用场景。

    4. 优异的功率处理能力:FQP17N40具有优异的功率处理能力,能够应对各种功率放大和电源转换需求。

    5. 高效能量转换率:FQP17N40具有高效能量转换率,确保电源管理和功率放大的高效率和稳定性。

    综上所述,FQP17N40作为一款性能优越的功率器件,具有广泛的应用场景和出色的参数特点,在电源管理、功率放大和电机控制等领域都发挥着重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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