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场效应MOS管FQP17N08L参数

PD最大耗散功率:65WID最大漏源电流:16.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:80VRDS(ON)Ω内阻:0.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP17N08L是一种常见的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),在电力电子和电路设计中广泛应用。以下将详细介绍FQP17N08L的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQP17N08L在开关电源中充当主开关器件。其高效的开关性能和低导通电阻使其适合在高频电路中使用,有效降低了能量损耗,提高了电源效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FQP17N08L用作H桥电路中的开关器件。由于其能够提供高电流输出且具有低开关损耗,适用于控制直流电机和步进电机,确保电机运行的平稳性和高效性。

    3. 光伏逆变器:在光伏逆变器中,FQP17N08L用于直流-交流转换过程。其优异的耐压特性和高开关速度使其能够处理太阳能板产生的高电压和电流,确保逆变器的高效稳定运行。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,FQP17N08L作为充放电管理的核心元件,负责电流的控制和调节。其低导通电阻和高电流处理能力,能够有效控制电池的充放电过程,延长电池寿命。

    5. LED驱动器:FQP17N08L在LED驱动器中用于调节电流,确保LED灯的稳定亮度和寿命。其高效的电流控制能力和低热损耗特性,使其成为LED照明系统中的理想选择。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQP17N08L的典型导通电阻仅为0.1欧姆。这意味着当MOSFET导通时,电流通过它的阻力非常小,从而减少了功率损耗,提高了电路的效率。

    - 高脉冲电流能力:FQP17N08L能够承受高达60A的脉冲电流。这使其在需要处理瞬态高电流的应用中表现出色,如电机启动和电容充电等场景。

    - 高耐压能力:FQP17N08L的漏源电压(VDS)最高可达80V,使其能够在高电压环境中安全工作。这一特性在光伏系统和高压电源中尤为重要。

    - 快速开关速度:FQP17N08L具有快速的开关速度,其开关时间在几十纳秒级别。快速的开关速度减少了开关损耗,提高了电路的效率,尤其适用于高频开关电源和DC-DC转换器。

    - 低栅极电荷(Qg):FQP17N08L的总栅极电荷为32nC(纳库伦)。较低的栅极电荷意味着更少的驱动功率需求,使其在低功率驱动电路中同样适用,降低了驱动电路的复杂性和功耗。

    综上所述,FQP17N08L凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,成为电力电子设计中的一颗明星元件。无论是用于开关电源、电机驱动还是LED驱动器,FQP17N08L都能提供可靠高效的性能保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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