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场效应MOS管FQP16N15参数

PD最大耗散功率:108WID最大漏源电流:16.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.16ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP16N15是一款性能优异的N沟道功率MOSFET,在电子电路中有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP16N15在电源管理系统中表现出色,特别是在开关电源、DC-DC转换器等场合。它的低导通电阻和快速开关特性使其能够高效地处理大电流,并减少电能损耗。

    2. 电动机驱动:在电动机控制中,FQP16N15常用于驱动电动机的开关装置。其高电流处理能力和耐压特性确保了电动机能够稳定运行,特别适用于电动汽车和工业自动化设备中。

    3. 太阳能逆变器:FQP16N15适用于太阳能光伏系统中的逆变器模块。它能够在高电压条件下稳定工作,并有效地将直流电转换为交流电,确保太阳能系统的高效运行。

    4. UPS不间断电源:在UPS系统中,FQP16N15负责控制电源的切换,确保在电源故障时能够迅速切换到备用电源,保障设备的持续供电。

    5. 音频放大器:在高保真音频放大器电路中,FQP16N15的线性度和低噪声特性使其成为理想的输出级元件,能够提供清晰、强劲的音频输出。

    二、参数特点:

    - 导通电阻 (RDS(on)):FQP16N15的典型导通电阻为0.18欧姆,最大值为0.25欧姆。这一低导通电阻确保了在高电流通过时的低功率损耗,提高了整体电路的效率。

    - 漏源电压 (VDS):FQP16N15的漏源电压最大为150V,这意味着它能够在高电压环境下稳定工作,不易击穿,适用于高压应用场合。

    - 连续漏极电流 (ID):FQP16N15能够处理最大16A的连续漏极电流,短时间内可以承受更高的峰值电流。这使其非常适合需要大电流传输的应用,如电机驱动和开关电源。

    - 栅极电荷 (Qg):其总栅极电荷为52nC,较低的栅极电荷使得FQP16N15可以更快速地开关,适合高频率的开关应用,减少了开关损耗。

    - 结电容 (Ciss):输入电容为1450pF,输出电容为230pF。这些低电容参数有助于提高电路的开关速度和效率,特别是在高频开关电源和逆变器中表现优异。

    综上所述,FQP16N15凭借其低导通电阻、高电流处理能力和优异的开关特性,广泛应用于电源管理、电动机驱动、太阳能逆变器、UPS不间断电源和音频放大器等领域。这些应用和参数特点使FQP16N15成为工程师们在设计高效可靠电路时的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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