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场效应MOS管FQP14N30参数

PD最大耗散功率:147WID最大漏源电流:14.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:3000VRDS(ON)Ω内阻:0.29ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP14N30是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中,主要因其高效能和可靠性而备受青睐。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQP14N30常用于开关电源和DC-DC转换器中。由于其低导通电阻和快速开关速度,可以提高电源效率,减少功率损耗。

    2. 电动机驱动:在电动机驱动电路中,FQP14N30可用于控制电动机的启动和停止,以及调节速度和转矩。其高电流处理能力和耐高压特性使其在这些应用中表现出色。

    3. 音频放大器:在音频放大器中,FQP14N30作为输出级元件,可以提供较大的电流驱动能力,从而提高放大器的输出功率和音质。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FQP14N30被用作开关元件,负责将直流电转换为交流电。其高效率和耐高压特性能够确保逆变器在高功率条件下的稳定运行。

    5. 电池管理系统:FQP14N30在电池管理系统中用于充放电控制,通过精确控制电流,可以延长电池寿命并提高安全性。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):FQP14N30的最大漏源电压为300V,这意味着它能够在高压环境中工作,不易损坏。这一特性特别适合需要高电压操作的应用,如电动机驱动和逆变器。

    - 最大漏源电流(Id):FQP14N30的最大漏源电流为14A,这使得它能够处理较大的电流,适用于高电流需求的电路,如音频放大器和电池管理系统。

    - 导通电阻(Rds(on)):在10V栅极驱动电压下,FQP14N30的典型导通电阻仅为0.6Ω。低导通电阻意味着更小的功率损耗和更高的效率,特别是在开关电源和DC-DC转换器中。

    - 栅极电荷(Qg):FQP14N30的总栅极电荷为38nC,这表示它在开关时所需的电荷较少,可以实现快速开关速度,减少开关损耗,提高效率。

    - 结温范围(Tj):FQP14N30的结温范围为-55°C至150°C,能够在广泛的温度范围内稳定工作。这使得它在需要高可靠性和稳定性的应用中具有优势,如电源管理和电池管理系统。

    综上所述,FQP14N30凭借其优异的参数和广泛的应用场景,成为电子工程师在设计高效、可靠电路时的重要选择。其高电压、高电流处理能力以及低导通电阻等特点,确保了其在各种严苛环境中的出色表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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