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场效应MOS管FQP14N15参数

PD最大耗散功率:104WID最大漏源电流:14.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.21ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP14N15是一款常用于电子设备和电源管理系统的N沟道功率MOSFET。其应用范围广泛,涵盖了以下几个主要场景:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQP14N15常用于DC-DC转换器和开关电源中。其低导通电阻和高击穿电压使其在高效能和高功率转换中表现优异,能够提供稳定的输出电压和高效的电能转换。

    2. 电动汽车:在电动汽车的动力系统中,FQP14N15被用作电池管理系统(BMS)的一部分。它能够处理高电流并确保电池的安全和长寿命。

    3. 太阳能逆变器:FQP14N15在太阳能发电系统中也有广泛应用。作为太阳能逆变器中的关键元件,它帮助将直流电转换为交流电,同时保持高效能和低能量损耗。

    4. 工业自动化:在工业控制和自动化设备中,FQP14N15用于电机驱动和控制系统。其高开关速度和强大的电流处理能力使其能够精确控制电机的运转。

    5. 家电产品:FQP14N15在各种家电产品中,如空调、冰箱和洗衣机等,也发挥着重要作用。它用于控制电机和压缩机,确保设备高效运行并降低能耗。

    二、参数特点:

    1. 击穿电压(VDSS):FQP14N15的击穿电压为150V,这意味着它能够在高电压环境下稳定工作,适合高电压应用场景。

    2. 导通电阻(RDS(on)):其导通电阻极低,典型值为0.18Ω。在低导通电阻的条件下,FQP14N15能够减少功率损耗,提高系统的整体效率。

    3. 漏极电流(ID):FQP14N15的最大连续漏极电流为14A,这使得它能够处理高电流,适用于需要大电流传输的应用。

    4. 栅极电荷(Qg):该MOSFET的栅极电荷较低,为53nC。这意味着FQP14N15具有较快的开关速度,能够在高速开关应用中表现出色。

    5. 热阻(RθJC):FQP14N15的结到壳的热阻为2.5°C/W,这确保了它在高功率应用中能够有效散热,保证器件的长期可靠性。

    综上所述,FQP14N15凭借其高击穿电压、低导通电阻、大电流处理能力、快速开关速度和良好的热性能,成为各种高效能电子设备和系统中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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