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场效应MOS管FQP13N10L参数

PD最大耗散功率:65WID最大漏源电流:12.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP13N10L 是一种常见的N沟道功率MOSFET,它具有许多实际应用,主要集中在以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP13N10L常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中。在这些应用中,MOSFET的低导通电阻和高效率能够显著减少能量损失,提高系统的总体效率。

    2. 电动机控制:在电动机驱动电路中,FQP13N10L常作为开关元件使用。它的高电流处理能力和快速开关特性使其非常适合用于控制电动机的速度和方向。

    3. 光伏逆变器:在太阳能发电系统中,FQP13N10L被用作逆变器的主要开关元件。其高耐压和高效率特点确保了在高功率应用中的稳定性和可靠性。

    4. 音频放大器:FQP13N10L也被应用于高保真音频放大器中。它的低失真和高效率特点使其能够提供清晰和强劲的音频输出。

    5. 电池管理系统:在锂电池组的保护电路和管理系统中,FQP13N10L常用来控制充放电过程。它的高可靠性和低损耗使其成为电池管理系统中的理想选择。

    二、参数特点:

    1. 耐压特性:FQP13N10L的漏源击穿电压(Vds)为100V,确保其在高压环境下的稳定性和安全性。这使其在需要高电压处理的应用中具备优势。

    2. 导通电阻:FQP13N10L的最大导通电阻(Rds(on))为0.35Ω(在Vgs=10V时)。低导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗较小,提高了系统的效率。

    3. 电流处理能力:FQP13N10L的连续漏极电流(Id)为12A,使其能够处理较大的电流负载,适用于大电流应用场景。

    4. 开关速度:FQP13N10L具有快速开关特性,其典型的开关时间为几十纳秒。这使其在高频开关电路中表现出色,能够快速响应输入信号。

    5. 热性能:FQP13N10L的热阻(RθJC)为1.67°C/W,良好的热性能确保其在高功率应用中的可靠性和长寿命。

    综上所述,FQP13N10L凭借其优异的电气参数和广泛的应用场景,成为众多电力电子设计中的常用器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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