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场效应MOS管FQP13N06L参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:13.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.11ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP13N06L是一种常用的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍FQP13N06L的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQP13N06L常用于高效转换器,如DC-DC转换器和AC-DC转换器。由于其低导通电阻和高开关速度,这种MOSFET能够有效地减少功率损耗,提高转换效率。

    2. 电机驱动:FQP13N06L适用于电机控制电路,特别是在需要快速切换和高效能的应用中,如无刷直流电机(BLDC)驱动器。它的高电流处理能力和低损耗特性使其成为理想的选择。

    3. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,FQP13N06L被用于电池管理系统(BMS)。它可以用于电池充放电控制,确保电池的安全性和长寿命。

    4. 音频放大器:在高功率音频放大器中,FQP13N06L用于输出级的功率放大。这种MOSFET能够提供高电流和低失真度的输出,提升音质。

    5. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,FQP13N06L用于逆变器电路,实现直流电到交流电的高效转换。它的高开关速度和低导通电阻有助于提高系统效率和稳定性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻低:FQP13N06L的典型导通电阻(RDS(on))仅为0.045欧姆(在VGS=10V时),这意味着它在导通时的功率损耗非常低,有助于提高整个电路的效率。

    - 高电流处理能力:FQP13N06L的连续漏极电流(ID)为32A,能够处理较大的电流负载,这使得它适用于高功率应用场景。

    - 高耐压能力:这种MOSFET的漏源极耐压(VDS)为60V,适用于中高压应用,确保在各种工作条件下的可靠性和稳定性。

    - 高开关速度:FQP13N06L的开关速度非常快,具有低栅极电荷(Qg),这使得它在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗,提高了转换效率。

    - 热性能优越:FQP13N06L具有良好的热性能,最大结温(Tj)可达175℃。此外,它的热阻(RθJC)较低,有助于在高功率应用中有效散热,延长器件寿命。

    综上所述,FQP13N06L凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压、高开关速度和优越的热性能,在各类电子应用中表现出色。无论是开关电源、电机驱动、电池管理系统、音频放大器还是光伏逆变器,这种MOSFET都能满足高效、稳定和可靠的要求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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