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场效应MOS管FQP12P10参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:-11.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.29ΩVRDS(ON)ld通态电流:-5.75AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQP12P10是一款N沟道增强型场效应晶体管,具有出色的性能和广泛的应用场景。本文将详细介绍FQP12P10的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP12P10常用于开关电源和DC-DC转换器中。由于其低导通电阻和高效率,它能够有效降低功耗,提升系统整体性能。

    2. 电机控制:在电机驱动应用中,FQP12P10凭借其快速开关特性和高电流处理能力,能够提供稳定可靠的电机控制,常用于电动车、工业机器人等领域。

    3. 光伏逆变器:FQP12P10适用于光伏系统中的逆变器模块,其高效能和可靠性确保了逆变器在高电压和高电流环境中的稳定运行,提高了太阳能系统的整体效率。

    4. 音频放大器:由于其低噪声和高线性度,FQP12P10在音频放大器中表现出色,能够提供高质量的音频输出,广泛应用于高保真音响系统。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,FQP12P10可用于电池管理系统、LED照明和电动助力转向等应用。其高耐压和高可靠性适应了汽车严苛的工作环境。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(R_DS(on)):FQP12P10的导通电阻典型值为180毫欧(mΩ),这意味着它在工作时具有较低的电压降和功耗,有助于提高系统效率。

    - 漏源电压(V_DS):FQP12P10的漏源电压最大值为100伏(V),这使得它能够在高电压应用中使用,提供了更大的设计灵活性。

    - 漏极电流(I_D):FQP12P10的最大漏极电流为12安培(A),这表明它能够处理大电流,适用于高功率应用。

    - 栅极电荷(Q_g):FQP12P10的总栅极电荷为18纳库伦(nC),低栅极电荷使其开关速度快,适用于高频应用,有助于减少开关损耗。

    - 结-壳热阻(R_θJC):FQP12P10的结-壳热阻为2.5℃/W,这意味着它具有良好的热性能,能够在高功率条件下保持较低的结温,提高器件的可靠性和寿命。

    通过上述介绍,可以看出,FQP12P10是一款性能优越且应用广泛的N沟道场效应晶体管。其低导通电阻、高电流处理能力和优异的热性能,使其在电源管理、电机控制、光伏逆变器、音频放大器和汽车电子等众多领域得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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