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场效应MOS管FQD9N25TF参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:7.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.42ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD9N25TF是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产的N沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),它在各种电子和电气应用中发挥着重要作用。以下是FQD9N25TF的应用场景和参数特点的详细说明。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQD9N25TF广泛用于开关电源和DC-DC转换器中。其高效的开关特性使其适合在高频环境中工作,从而提高电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,FQD9N25TF常用于驱动各种类型的电机,包括步进电机和直流电机。其低导通电阻和高脉冲电流能力使其能够有效控制电机的启动和停止。

    3. 汽车电子:FQD9N25TF在汽车电子系统中也有广泛应用,例如电动窗、座椅调节器和灯光控制系统。它的高耐压特性确保在汽车复杂电气环境中的稳定运行。

    4. 工业控制:在工业自动化系统中,FQD9N25TF用于驱动工业机械和控制设备。其可靠性和高效能使其成为工业应用中不可或缺的元件。

    5. 消费电子:FQD9N25TF在消费电子设备中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路中,提供高效的电流控制和管理。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQD9N25TF的导通电阻(RDS(on))仅为0.047Ω,这意味着在导通状态下,电流通过时产生的电压降非常小,从而减少了功耗,提高了效率。

    - 高耐压特性:FQD9N25TF具有高达250V的漏源击穿电压(VDSS),这使其能够在高电压环境中稳定工作,适用于需要高电压操作的应用场景。

    - 大电流处理能力:FQD9N25TF能够处理高达9A的连续漏极电流(ID),这使其适用于高功率应用,提供强大的电流控制能力。

    - 快速开关速度:FQD9N25TF的开关速度非常快,具有短的开关时间(tON和tOFF),这使其在高频开关应用中表现出色,有助于减少开关损耗,提高系统效率。

    - 热性能优异:FQD9N25TF具有良好的热性能,其最大结温(TJ)可达175°C,能够在高温环境下可靠工作,提供稳定的性能。

    综上所述,FQD9N25TF凭借其卓越的电气特性和广泛的应用场景,成为现代电子和电气系统中不可或缺的元器件。其在电源管理、电机驱动、汽车电子、工业控制和消费电子等领域的应用,充分展示了其多功能性和高性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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