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场效应MOS管FQD7N30参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:0.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD7N30是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQD7N30在开关电源中被用作主要的开关元件,其快速开关特性和低导通电阻使得它在提高电源效率方面表现出色。无论是台式电脑的电源还是工业设备的电源模块,FQD7N30都是不可或缺的组件。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FQD7N30因其高效的电流处理能力和耐高压特性,常用于各种直流电机和无刷电机的驱动电路中。它能有效地控制电机的启动、停止和调速,从而提高系统的稳定性和效率。

    3. 太阳能逆变器:FQD7N30在太阳能逆变器中扮演关键角色,负责将直流电转换为交流电。其高效率和耐用性使得它在需要长时间稳定运行的太阳能发电系统中备受青睐。

    4. 电动汽车充电器:随着电动汽车的普及,FQD7N30被广泛应用于电动汽车充电器中。其快速开关能力和高电流处理能力,确保充电过程的快速和安全。

    5. 电池管理系统:在电池管理系统(BMS)中,FQD7N30用于监控和控制电池组的充放电过程,确保电池的使用寿命和安全性。它能够高效地管理大电流的充放电操作,同时保持低功耗。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:FQD7N30具有300V的漏源极耐压能力(Vdss),这使得它在高压应用中具有显著的优势。无论是工业电源还是电动汽车充电器,都可以依靠其稳定的耐压特性。

    - 导通电阻:FQD7N30的典型导通电阻(Rds(on))为1.5Ω,在较低的栅极电压(Vgs)下即能保持低导通电阻,减少能量损耗,提升整体系统的效率。

    - 电流处理能力:FQD7N30的连续漏极电流(Id)为7A,能够处理较大的电流,使其在电机驱动和电池管理系统中表现出色。同时,其脉冲漏极电流(Idm)更高,适用于需要瞬时高电流的应用场景。

    - 开关速度:FQD7N30的快速开关特性,包括较低的栅极电荷(Qg)和较短的开关时间(ton/toff),使其在高频率开关应用中能够有效减少开关损耗,提高系统的工作频率和效率。

    - 封装形式:FQD7N30采用TO-252封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合在高功率和高密度的应用中使用。此外,TO-252封装易于安装和散热,有助于提高整体系统的可靠性。

    综上所述,我们可以看出FQD7N30在各类应用场景中表现优异,其独特的参数特点确保了它在高效能、高可靠性和广泛应用中的地位。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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