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场效应MOS管FQD6N60C参数

PD最大耗散功率:80WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD6N60C是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源转换和电源管理系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQD6N60C在开关电源中作为高效开关元件,能够实现高频率开关操作,提高电源转换效率。其耐高压和低导通电阻特性使其在高效率电源设计中尤为重要。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,FQD6N60C因其快速开关速度和高耐压特性,常用于驱动直流电机和无刷电机,提供稳定且高效的电源控制。

    3. 逆变器:FQD6N60C广泛用于光伏逆变器和风能逆变器中,其高效能和高耐压特性可以有效转换直流电为交流电,提高能源利用率。

    4. 照明系统:在LED照明系统中,FQD6N60C用于调节和稳定电流,确保LED灯具的长寿命和高亮度输出。

    5. 电池管理系统:FQD6N60C在电动汽车和储能系统的电池管理中,用于保护和管理电池的充放电过程,保证系统的安全和效率。

    二、参数特点:

    1. 最大漏源电压(Vds):FQD6N60C具有600V的高耐压能力,适用于高压环境中的应用。这使得它能够在高电压条件下稳定工作,广泛应用于需要高电压转换的电源管理系统。

    2. 漏极电流(Id):FQD6N60C的最大连续漏极电流为6A,能够提供足够的电流驱动能力,适用于各种高功率应用场景。

    3. 导通电阻(Rds(on):FQD6N60C的典型导通电阻为1.2Ω(在10V栅极电压下),低导通电阻有助于降低功耗,提高转换效率,使其在高效电源设计中具有优势。

    4. 栅极电荷(Qg):FQD6N60C的总栅极电荷为22nC,较低的栅极电荷使得其在开关时具有较快的速度,有利于高频率开关应用。

    5. 工作温度范围(Tj):FQD6N60C能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作,适应各种严苛的工作环境,确保其在不同温度条件下的可靠性能。

    综上所述,FQD6N60C因其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、照明系统和电池管理系统等领域。其出色的参数表现,使其成为高效电源转换和管理的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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