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场效应MOS管FQD6N50C参数

PD最大耗散功率:61WID最大漏源电流:4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD6N50C是一种高效能的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍FQD6N50C的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQD6N50C在开关电源中被广泛应用。由于其低导通电阻和快速的开关速度,能够有效地提高电源的效率并减少热损耗。

    2. 电机驱动器:在电机驱动应用中,FQD6N50C因其高耐压能力和强大的电流处理能力,被用于控制和驱动各种直流电机和步进电机,确保电机稳定运行。

    3. DC-DC转换器:FQD6N50C在DC-DC转换器中发挥着关键作用。它可以处理较高的输入电压,并通过高效的电能转换,提供稳定的输出电压,广泛应用于通信设备和工业自动化系统中。

    4. 电源管理系统:在各种电源管理系统中,FQD6N50C被用于电压调节和过流保护。其高效能和可靠性使其成为智能电源管理系统的理想选择。

    5. 照明系统:FQD6N50C也被应用于LED照明系统中,作为开关和驱动元件,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,延长LED灯具的使用寿命。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:FQD6N50C具有高达500V的漏源极耐压能力(Vds),适用于高压环境,确保设备在高电压下稳定工作。

    - 低导通电阻:FQD6N50C的导通电阻(Rds(on))较低,仅为2.1Ω。这使其在导通时能够减少电能损耗,提高系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:FQD6N50C的连续漏极电流(Id)为6A,能够处理较大的电流,适用于需要高电流处理能力的应用场景。

    - 快速开关速度:FQD6N50C的开关速度非常快,能够在纳秒级别完成开关操作。这一特点在高频开关应用中尤为重要,有助于提高系统的响应速度和工作效率。

    - 热性能:FQD6N50C具有良好的热性能,能够在较高温度环境下稳定工作。其结温范围宽广(-55°C至150°C),确保在不同温度条件下都能保持高性能和高可靠性。

    综上所述,FQD6N50C因其优越的参数特点和广泛的应用场景,成为许多电力电子设备和电源管理系统中的重要元件。无论是在开关电源、电机驱动还是DC-DC转换器等应用中,FQD6N50C都展现了其高效能和高可靠性的优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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