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场效应MOS管FQD6N25TM参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:4.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD6N25TM是一种N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),其广泛应用于各种电子和电力系统中。以下是关于FQD6N25TM的应用场景和参数特点的详细描述。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQD6N25TM常用于开关电源电路中,作为主开关器件。由于其低导通电阻和快速开关特性,它能提高电源效率,减少功耗,尤其适用于高频开关电源。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,FQD6N25TM可以用于控制电机的开关操作。其高电流处理能力和耐高压特性使其非常适合用于直流电机和无刷电机的驱动电路。

    3. DC-DC转换器:FQD6N25TM在DC-DC转换器中扮演关键角色,用于实现高效的电压转换和调节。其高效能和低损耗特性在便携设备和工业电源中非常受欢迎。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,FQD6N25TM用于电池的充放电控制,确保电池在安全电压和电流范围内工作,延长电池寿命并提高系统安全性。

    5. 太阳能逆变器:FQD6N25TM在太阳能逆变器中用于直流到交流电的转换,其高效的功率处理能力和耐高温特性使其非常适合这一应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQD6N25TM的导通电阻非常低,仅为0.12欧姆(典型值),这意味着它在导通状态下的损耗极小,能有效提高电路效率。

    - 高耐压:FQD6N25TM的耐压值高达250V,适合应用于高电压环境中,确保设备的安全性和可靠性。

    - 高电流处理能力:FQD6N25TM能够处理高达6A的连续电流,适用于需要高电流传输的应用场景,如电机驱动和电源管理。

    - 快速开关速度:FQD6N25TM具备快速的开关速度,其典型的开关时间仅为几十纳秒级别,这使其在高频应用中表现出色,如开关电源和DC-DC转换器。

    - 低栅极电荷:FQD6N25TM的栅极电荷较低,这意味着在驱动过程中所需的能量较少,有助于减少驱动损耗,提高整体电路的效率。

    综上所述,FQD6N25TM作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高耐压、高电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷等优异特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统和太阳能逆变器等领域。通过详细了解FQD6N25TM的应用场景和参数特点,可以更好地发挥其在各种电力电子系统中的作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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