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场效应MOS管FQD5P10参数

PD最大耗散功率:2.5WID最大漏源电流:-3.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:1.05ΩVRDS(ON)ld通态电流:-1.8AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQD5P10是一种常见的场效应晶体管(FET),广泛应用于多种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQD5P10在开关电源和DC-DC转换器中广泛使用,能够高效地管理电源转换,提供稳定的输出电压。这对于需要精确电压控制的设备尤为重要。

    2. 电动机控制:在电动机控制电路中,FQD5P10被用于调节电动机的速度和方向。其快速开关速度和高电流处理能力,使其在需要精确控制的电动机应用中表现出色。

    3. 信号放大:FQD5P10可用于放大弱信号,在音频放大器和射频放大器中都有应用。其低噪声特性使其成为高保真音频设备中的理想选择。

    4. 保护电路:在过电流保护和过电压保护电路中,FQD5P10作为开关元件,能够快速响应并切断电流,保护下游电路免受损坏。

    5. 汽车电子:FQD5P10也被广泛应用于汽车电子系统中,例如在车载充电器和电池管理系统中,提供可靠的开关控制和电源管理功能。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):FQD5P10的最大漏源电压为100V,这使得它适用于需要高电压处理能力的电路。

    - 导通电阻(Rds(on)):其导通电阻为0.047欧姆(最大值),在同类器件中具有较低的导通电阻,减少了导通时的功率损耗。

    - 漏极电流(Id):FQD5P10的最大连续漏极电流为4.9A,能够处理较大的电流,适合大功率应用。

    - 栅极电压(Vgs):其最大栅极电压为±20V,允许较大的栅极驱动电压范围,提供更灵活的设计选择。

    - 封装类型:FQD5P10采用TO-252封装,这种封装形式具有良好的散热性能和紧凑的尺寸,适合高密度电路板设计。

    综上所述,FQD5P10以其优异的性能参数和广泛的应用场景,成为电子设计工程师的常用选择。无论是在电源管理、电动机控制,还是在信号放大和保护电路中,FQD5P10都展示了其强大的功能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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