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场效应MOS管FQD4P25参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:-3.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:-250VRDS(ON)Ω内阻:2.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:-1.55AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQD4P25是一种功率MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于各种电子设备中。它的应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQD4P25常用于开关电源电路中,能够有效地控制电流的开关状态,提高电源的效率和稳定性。其低导通电阻和快速开关速度使其成为开关电源设计的理想选择。

    2. 电机驱动器:在电机驱动应用中,FQD4P25能够提供高效的电流控制和低功耗操作,适用于各种类型的电机控制系统,如直流电机和步进电机驱动器。

    3. DC-DC转换器:FQD4P25在DC-DC转换器中广泛应用,尤其在便携式电子设备中,通过高效的电流转换和调节,帮助延长电池寿命和提高设备性能。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQD4P25可以用于逆变器电路,实现直流电到交流电的转换,提高系统的整体效率和可靠性。

    5. 电动工具:FQD4P25适用于电动工具中的电源管理部分,能够提供高效的电流控制和低热量产生,确保工具的持久性和稳定性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:FQD4P25具有极低的导通电阻 (RDS(on)),通常在0.08Ω左右,这意味着在导通状态下电流通过MOSFET时产生的损耗很小,从而提高了效率和减少了热量生成。

    - 最大漏源电压:FQD4P25的最大漏源电压(VDS)为250V,这使其适用于需要处理高电压的应用,如电源管理和转换器电路。

    - 最大漏极电流:它的最大漏极电流(ID)为4A,能够处理中等功率的电流需求,适合用于中功率电路设计中。

    - 栅极阈值电压:FQD4P25的栅极阈值电压(VGS(th))约为2V到4V,表明其在低栅极电压下即可开启,适用于低电压控制系统。

    - 封装形式:FQD4P25通常采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合安装在各种电路板上,方便集成到复杂的电路系统中。

    综上所述,FQD4P25是一款高效、低导通电阻、高电压处理能力的功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效电流控制和转换的电子设备中。其优秀的参数特点使其成为现代电子电路设计中的一个重要组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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